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发明名称 RECESSED GAT DRAM TRANSISTOR AND METHOD
摘要
申请公布号 KR20040015184(A) 申请公布日期 2004.02.18
申请号 KR20037014077 申请日期 2002.04.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/8242;H01L21/336;H01L27/108;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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