发明名称 | 电力半导体元件的驱动电路 | ||
摘要 | 在适用于耐压高的IGBT1的情况下,产生把耐压高的二极管5串联连接成多级的需要,存在导致成本高或者可靠性降低的课题,另外,由集电极电压检测电路6进行的短路探测显著滞后,存在有时不能够保护IGBT1的课题,解决的方法是抽样电路16在允许栅极电压Vge的检测处理期间中,检测该栅极电压Vge,如果该栅极电压Vge超过基准值,则认定在IGBT11中发生了异常。 | ||
申请公布号 | CN1476136A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
申请号 | CN03152349.8 | 申请日期 | 2003.07.29 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大井健史;中山靖;田中毅 |
分类号 | H02H11/00 | 主分类号 | H02H11/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种电力半导体元件的驱动电路,特征在于:具备如果从外部输入导通指令或者关断指令,则控制电力半导体元件的开闭状态的控制装置;如果上述控制装置输入导通指令,则在预先设定的期间中,检测上述控制装置对于上述电力半导体元件的控制量的控制量检测装置;监视由上述控制量检测装置检测出的控制量,探测在上述电力半导体元件中发生异常的异常探测装置。 | ||
地址 | 日本东京 |