| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的，是提供一种为取得快速热成法(RTP)温度控制性的提高，又可廉价降低晶片表面内的温度偏差的半导体装置的制造方法。其解决的方法是，在半导体衬底上照射灯光进行加热的工序中，在半导体衬底中事先设置好吸收所照射的灯光的自由载流子吸收层。由此，快速热成法(RTP)温度控制性就可以提高，还不只低温区域，工序温度区域的衬底温度的偏差也可以廉价地降低，要求热处理的高精度要求半导体装置的特性在不被降低就可以进行制造。 | ||
| 申请公布号 | CN1476061A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN03178460.7 | 申请日期 | 2003.07.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 庭山雅彦;米田健司 |
| 分类号 | H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/324 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征为：包括：半导体衬底内的至少一部分形成含有杂质的，且吸收红外线的半导体层的工序(a)；通过红外线照射上述半导体衬底，在所定的工序温度下对上述半导体衬底进行热处理的工序(b)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||