| 摘要 |
在非挥发性半导体记忆装置中，系分别设置有用来产生不同电压之3个字元线电压产生电路(11a~11c)。由3个不同电压之中，预先设置用以选择1个电压之电压选择电路13。在下层的矽氧化膜(5a)之膜厚以比上层的矽氧化膜(5c)之膜厚薄所形成的ONO膜(5)中，系先选择字元线电压产生电路(11a)，并于写入动作之际施加比一般的9V更低之7V的电压，而在上层的矽氧化膜(5c)之膜厚以比下层的矽氧化膜(5a)之膜厚薄所形成的ONO膜(5)中，系先选择字元线电压产生电路(11b)，并施加比一般的9V更高之11V的电压。藉此，可得到能令作为资讯之电荷维持稳定之非挥发性半导体记忆装置。 |
