| 发明名称 |
OZONE OXIDATION OF SILICON SUBSTRATES FOR FOR FORMATION OF AN INTERFACIAL LAYER FOR HIGH-K GATE STACKS |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
AU2003265324(A1) |
申请公布日期 |
2004.02.16 |
| 申请号 |
AU20030265324 |
申请日期 |
2003.07.29 |
| 申请人 |
ASML US, INC. |
发明人 |
YOSHIHIDE SENZAKI;ROBERT HERRING |
| 分类号 |
H01L;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/316;H01L29/51 |
主分类号 |
H01L |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
