Leistungshalbleitereinrichtung

摘要

Ein IGBT (121) und eine Diode (131) sind mit einem Bauelement-Anordnungsabschnitt (111a) eines ersten Anschlußgliedes (111) verbunden und ein Bauelement-Anordnungsabschnitt (112a) eines zweiten Anschlußgliedes (112) ist mit dem IGBT (121) und der Diode (131) verbunden. Weiterhin sind ein IGBT (122) und eine Diode (132) mit dem Bauelement-Anordnungsabschnitt (112a) des zweiten Anschlußgliedes (112) verbunden und ein Bauelement-Anordnungsabschnitt (113a) eines drittten Anschlußgliedes (113) ist mit dem IGBT (122) und der Diode (132) verbunden. Ein Pressspritzgehäuse (141) ist ausgebildet, um die Elemente (121, 122, 131, 132) unterzubringen. Abschnitte zur externen Verbindung (111b, 112b, 113b) der Anschlußglieder (111, 112, 113) sind aus dem Gehäuse herausgeführt. Der/die Bauelement-Anordnungsabschnitt(e) (111a, 113a) des ersten und/oder dritten Anschlussgliedes (111, 113) ist/sind aus dem Gehäuse (141) freiliegend.