发明名称 离子注入复合镀膜设备
摘要 一种离子注入复合镀膜设备属于镀膜技术领域。本发明的气体离子源、金属离子源、直流磁控溅射靶源、中频脉冲磁控溅射靶源和两套直流磁过滤电弧离子镀源、六个源头共用一个真空室,并固定在复合镀膜机的外壳上,气体离子源垂直位于真空室上部的正中,金属离子源位于气体离子源的一侧,斜插于真空室上部,直流磁控溅射靶源和中频磁控溅射靶源、两个直流磁过滤电弧离子镀源则分布在二条对角线上,并位于真空室两侧偏上部位,六个源头的中心线汇聚在多用样品台工件上,真空抽气系统与真空室连接。本发明集几种材料表面改性技术于一体,一机多用,既降低了设备制造成本,又具有多功能效果,设备设计新颖,结构合理紧凑。
申请公布号 CN1472360A 申请公布日期 2004.02.04
申请号 CN03129551.7 申请日期 2003.06.26
申请人 上海交通大学;核工业西南物理研究院 发明人 蔡珣;童洪辉;陈庆川;蒲世豪;赵军;陈秋龙;刘佑铭
分类号 C23C14/48 主分类号 C23C14/48
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王锡麟
主权项 1、一种离子注入复合镀膜设备,包括:气体离子源(1)、真空室(7)、多用样品台(8)和真空抽气系统(9),其特征在于,还包括:金属离子源(2)、两个直流磁过滤电弧离子镀源(3)和(4)、直流磁控溅射靶源(5)、中频脉冲磁控溅射靶源(6),其连接方式为:气体离子源(1)、金属离子源(2)、直流磁控溅射靶源(5)、中频脉冲磁控溅射靶源(6)和两套直流磁过滤电弧离子镀源(3)、(4)六个源头共用一个真空室(7),并固定在复合镀膜机的外壳上,气体离子源(1)垂直位于真空室(7)上部的正中,金属离子源(2)位于气体离子源(1)的一侧,斜插于真空室(7)上部,直流磁控溅射靶源(5)和中频磁控溅射靶源(6)、两个直流磁过滤电弧离子镀源(3)和(4)则分布在两条对角线上,并位于真空室(7)两侧偏上部位,六个源头的中心线汇聚在多用样品台(8)工件上,真空抽气系统(9)与真空室(7)连接。
地址 200030上海市华山路1954号