发明名称 溅射靶、其制造方法、以及形成了相变化型光盘保护膜的光记录媒体
摘要 本发明涉及以硫化锌-二氧化硅为主成分的溅射靶,它通过使用比表面积为5-40m<SUP>2</SUP>/g、含有0.05-0.35重量%硫酸根(SO<SUB>4</SUB>)的硫化锌,并混入15摩尔%或更多的二氧化硅使其均匀分散来制作。本发明还涉及使用这样的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体。可以得到用于形成以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的高密度溅射靶的制造方法,所述的靶能够减少通过溅射形成膜时在溅射时产生的微粒(扬尘)和球粒,具有最小的品质变动,能够提高批量生产率,并且晶粒微细。
申请公布号 CN1473329A 申请公布日期 2004.02.04
申请号 CN02802970.4 申请日期 2002.08.29
申请人 株式会社日矿材料 发明人 矢作政隆;高见英生
分类号 G11B7/26;G11B7/24;C23C14/34 主分类号 G11B7/26
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 王维玉;丁业平
主权项 1.使用硫化锌粉末与二氧化硅粉末均匀混合并分散的粉体形成的溅射靶,及使用所述的靶形成了以硫化锌-二氧化硅为主成分的相变化型光盘保护膜的光记录媒体,其中,当硫酸根(SO4)量为0.05-0.35重量%的硫化锌和二氧化硅的中值粒径分别设为Aμm和Bμm,二氧化硅的混合比设为M摩尔%时,在0.1μm<A<10μm、0.5μm<B<15μm、15摩尔%≤M的范围内满足1.4≤B/A;并且当设比表面积分别为Cm2/g、Dm2/g,二氧化硅的混合比为M摩尔%时,在5m2/g≤C≤40m2/g、0.5m2/g≤D≤15m2/g及15摩尔%≤M的范围内,满足3.5≤C/D;当设粒径A换算的比表面积为Em2/g时,15≤C/E;以及当设粒径B换算的比表面积为Fm2/g时,D/F≤5。
地址 日本东京