| 摘要 |
一种乾蚀刻终点在于沉积在半导体基材的多层中的经选择层上或是在半导体基材上被侦知，其藉由于插入加工室的半导体基材上的乾蚀刻过程期间所产生的光上根据蚀刻时间进行光谱分析。该光谱分析之实现系藉由装设基材于加工室、使用电浆蚀刻基材、侦测在乾蚀刻过程期间由装设在加工室壁的观察孔所射出的光、及光谱化该光及由根据乾蚀刻时间将该光谱区分以得到超过一个特定波的强度。基于由标准化、标准化加微分、或是发现在特定波的波长间的交互作用关系之运算所得到的资料，该方法使得半导体乾蚀刻装置的使用者在经过预先决定的蚀刻时间后可容易地发现在该基材上或在该基材上的经选择层上的蚀刻终点。该方法藉由减少在乾蚀刻过程期间于基材上或是在该基材上的经选择层下的下方层上的蚀刻损伤而改善半导体装置的可靠性及产率。 |
