| 主权项 |
1.一种将特别是结晶之涂层在一程序室(1)中藉助输入程序室(1)并在该处热解反应的反应气体沈积在一或多个特别是同为结晶之基质上的装置,包括一可加热载板(3),至少一基质座(45)不紧固,尤其是可旋转地置于载板中,表面并与周围齐平,其特征为,载板(3)上至少设一与基质座轮廓互补之补偿板(48)。2.如申请专利范围第1项之装置,其中补偿板(48)由TaC或有TaC或SiC涂层的石墨构成。3.如申请专利范围第1项之装置,其中设一包围可旋转基质座(45)的对中环(46),该对中环与基质座(45)一起放置在载板凹陷部(56)中。4.如申请专利范围第1项之装置,其中设一覆盖对中环(48)及基质座(45)阶梯形边缘的盖环(47)。5.如申请专利范围第1项之装置,其中载板(3)为环形,由下方被中心的支撑板(21)藉边缘啮合而支撑。6.如申请专利范围第5项之装置,其中支撑板(21)上方可设一拉板(22),其抵靠载板(3)边缘(3'),拉板中心嵌入一拉杆(23)。7.如申请专利范围第5项之装置,其中载板(3)外径约为其内径的两倍。8.如申请专利范围第7项之装置,其中载板(3)被驱动旋转。9.如申请专利范围第1项之装置,其中可旋转基质座(45)在一气垫上由于气垫构成的气流而被驱动旋转。10.如申请专利范围第9项之装置,其中设多个环绕载板(3)中心藉气流而被驱动旋转的基质座(45)。11.一种将特别是结晶之涂层在一程序室(1)中藉助输入程序室(1)并在该处热解反应的反应气体沈积在一或多个特别是同为结晶之基质上的装置,包括一可加热基质座(45),一盖板(4)与其相对,其特征为,盖板(4)朝向基质座(45)的一侧设有惰性涂层或衬以由惰性材料构成的板(34)。12.如申请专利范围第11项之装置,其中板(34)由同心的护环构成。13.如申请专利范围第12项之装置,其中护环(34)由TaC或有TaC或SiC涂层的石墨构成。14.如申请专利范围第13项之装置,其中最内侧的护环(34)被进气机构(6)支承,外侧的环以内缘(34')叠在相邻内侧的环(34)外缘(34')上。15.如申请专利范围第14项之装置,其中彼此同心护环(34)中内侧的护环为多件式。图式简单说明:图1系本发明反应器程序室示意图。图2系载板与基质座分解图。图3系图1载板截面放大图。图4系载板俯视图。 |
