| 主权项 |
1.一种形成曝光用的遮罩图样于遮罩上的方法,遮罩图样包括混合多类图样的第一图样,以及包括元件尺寸小于第一图样元件的第二图样,遮罩图样系建构于遮罩上以致于第一图样也许被分解且第二系免于被分解,该方法包含的步骤有:分类第一图样成其中之一具有在两正交方向之间至少一方向中至少有两等距的三元件周期图样,不属于周期图样且包括一对在两正交方向之间至少一方向中建构的元件的经隔离配对图样,及不属于经隔离配对图样且包括唯一元件在任何两正交方向中不构成任何配对的经隔离元件;根据该分类步骤在第一图样中建构第二图样。2.根据申请专利范围第1项的方法,其中该建构步骤包括至少其中之一步骤:对于经隔离配对图样建构第二图样,对于经隔离元件建构第二图样,以及对于周期图样建构第二图样。3.根据申请专利范围第2项的方法,其中该对于经隔离元件建构第二图样的步骤运用自经隔离元件至经隔离配对图样的斜向量建构第二图样。4.根据申请专利范围第2项的方法,其中该对于经隔离元件建构第二图样的步骤运用经隔离元件的宽度建构第二图样。5.根据申请专利范围第2项的方法,进一步包含熔接第一及第二元件的步骤,其中第二图样包括第一及第二元件,且第一及第二元件的间隔是在预定距离内。6.根据申请专利范围第2项的方法,进一步包含建构仅第一及第二元件的其中之一的步骤,其中第二图样包括第一及第二元件,且第一及第二元件的间隔是在预定距离内。7.根据申请专利范围第6项的方法,第一及第二元件系优先地以此顺序设至经隔离配对图样,经隔离元件及周期图样。8.根据申请专利范围第6项的方法,其中第一及第二元件在具有不同周期的两周期之间系优先地设至具有较小的周期的图样。9.根据申请专利范围第6项的方法,其中第一及第二元件在两不同的经隔离配对图样之间系优先地设至经隔离配对图样。10.根据申请专利范围第6项的方法,其中当转换成/(4NA)当作一单位时,其中是曝光光的波长,且NA是转移遮罩图样于待曝光的物体上用的投影光学系统的数値孔径,该预定距离是2或更少。11.根据申请专利范围第6项的方法,当转换成/(4NA)当作一单位时,其中是曝光光的波长,且NA是转移遮罩图样于待曝光的物体上用的投影光学系统的数値孔径,预定距离在两元件的两最靠近部分间是1或更少的距离。12.根据申请专利范围第2项的方法,其中该对于经隔离配对图样建构第二图样的步骤包括的步骤有在经隔离配对图样的经建构方向以经隔离配对图样的间隔建构第二图样的两额外元件于经隔离配对图样外侧。13.根据申请专利范围第12项的方法,其中该建构第二图样的两额外元件的步骤运用经隔离配对图样中该对元件自一元件至另一元件的向量。14.根据申请专利范围第13项的方法,其中该建构第二图样的两额外元件的步骤运用额外的元件中由连接两重心形成的向量,当转换成/(4NA)当作一单位时,其中是曝光光的波长,且NA是转移遮罩图样于待曝光的物体上用的投影光学系统的数値孔径,如果在建构方向经隔离配对图样中该对元件的两最靠近部分间的间隔大约是1或更大,建构该额外的元件,以及其中建构第二图样的两额外元件的步骤运用平行于经隔离配对图样的建构方向的向量,有大约2的长度,且包括几乎定位在元件间隔中心的中心,当转换成/(4NA)时,如果在建构方向经隔离配对图样中配对元件的两最靠近部分间的间隔大约是1或更小,建构该额外的元件。15.根据申请专利范围第12项的方法,其中该对于经隔离配对图样建构第二图样的步骤包括的步骤有在垂直于经隔离配对图样建构方向的方向,于经隔离配对图样外侧建构的第二图样外侧,建构第二图样。16.根据申请专利范围第2项的方法,其中该对于经隔离配对图样建构第二图样的步骤包括的步骤有于经隔离配对图样外侧在垂直于经隔离配对图样建构方向的方向,运用经隔离配对图样中的元件,建构第二图样。17.根据申请专利范围第2项的方法,其中该对于周期图样建构第二图样的步骤包括的步骤有以至少三元件的间隔,于周期图样外侧,以至少三元件的建构方向,建构第二图样的两元件。18.根据申请专利范围第17项的方法,其中该对于周期图样建构第二图样的步骤包括的步骤有以垂直于至少三元件建构方向的方向,于经隔离配对图样外侧建构的第二图样外侧,建构第二图样。19.根据申请专利范围第2项的方法,进一步包括的步骤有由扩展已经建构的第二图样而建构第二图样。20.根据申请专利范围第19项的方法,其中该扩展的步骤运用已经建构的第二图样用的向量。21.根据申请专利范围第2项的方法,其中该分类步骤包括的步骤有:在两正交方向中侦测最靠近包括在第一图样的物体元件的另一元件;当最靠近的元件已经侦测时,使用自物体元件至最靠近的元件的第一向量,在自最靠近的元件当作开始点的位置决定经侦测方向中是否有另一元件;使用自物体元件至最靠近的元件的第二向量在自最靠近的元件当作开始点的位置决定相对于经侦测方向的方向中是否有另一元件;以及当两或更多其它元件沿着至少放置物体元件的一线上被侦测以存在两方向时,决定侦测物体元件是周期图样。22.根据申请专利范围第21项的方法,进一步包括的步骤有当在周期图样中自当作开始点的元件至少一方向中于第一或第二向量的延长部分的位置没有其它元件时,决定周期图样的元件是在周期图样边缘的元件。23.根据申请专利范围第22项的方法,进一步包括的步骤有自边缘的元件使用第一或第二向量建构第二图样。24.根据申请专利范围第22项的方法,进一步包括的步骤有当方向数是一,其中在一方向中于第一或第二向量的延长部分没有其它元件时,决定该元件在周期图样中是边缘的附带元件,且当方向数是二,其中在一方向中于第一或第二向量的延长部分没有其它元件时,决定该元件在周期图样中是顶点元件。25.根据申请专利范围第24项的方法,进一步包括的步骤有对于顶点元件运用已经建构的第二图样及不同于用以建构已经建构的第二图样的向量建构第二图样。26.根据申请专利范围第2项的方法,其中该在经隔离配对图样的建构方向中建构第二图样的步骤当经隔离配对图样间之间隔大于预定距离时,建构第二图样于经隔离配对图样之间。27.根据申请专利范围第26项的方法,其中当转换成/(4NA)当作一单位时,其中是曝光光时波长,且NA是转移遮罩图样于待曝光的物体上用的投影光学系统的数値孔径,预定距离也许大约是4或更大。28.根据申请专利范围第26项的方法,其中该在经隔离配对图样的经隔离配对图样建构方向中建构第二图样的步骤包括的步骤有以经隔离配对图样间建构的第二图样的元件及经隔离配对图样的其中之一间的间隔在建构方向于经隔离配对图样外侧建构第二图样的两元件。29.根据申请专利范围第2项的方法,其中该分类步骤考虑当在任一两正交方向建构的该对元件间的间隔大于预定距离时有两经隔离元件。30.根据申请专利范围第29项的方法,其中当转换成/(4NA)当作一单位时,其中是曝光光的波长,且NA是转移遮罩图样于待曝光的物体上用的投影光学系统的数値孔径,预定距离大约是6或更大。31.根据申请专利范围第29项的方法,其中该对于经隔离元件建构第二图样的步骤包括的步骤有:侦测除了两正交方向外最靠近的元件;在两正交方向中由投射自最靠近元件至经隔离元件的向量计算第三及第四向量;以及自当作开始点的经隔离元件在第三向量的延伸部分及第四向量的延伸部分的位置在第二图样中建构元件。32.根据申请专利范围第31项的方法,其中最靠近的元件属于经隔离配对图样。33.一种半导体装置之制造方法,包含的步骤有:曝光遮罩上的第一图样于基底上,该遮罩系由形成曝光用的遮罩图样于遮罩上的方法做成的,遮罩图样包括混合多类图样的第一图样,以及包括尺寸较第一图样元件小的元件的第二图样,遮罩图样系建构于遮罩上以致于第一图样也许被分解且第二系限于免被分解,该方法包含的步骤有分类第一图样成具有在两正交方向之间至少一方向中至少有两等距的三元件周期图样,不属于周期图样且包括一对在两正交方向之间至少一方向中建构的元件的经隔离配对图样,及不属于经隔离配对图样且包括唯一元件在任何两正交方向中不构成任何配对的经隔离元件的其中之一,对于经隔离配对图样建构第二图样,对于经隔离元件建构第二图样,及对于周期图样建构第二图样;以及对于经曝光的物体执行预定的处理。图式简单说明:图1典型地显示期望的图样。图2典型地显示曝光用的遮罩图样。图3典型地显示在两正交方向中最靠近的元件的方向。图4典型地显示元件的侦测以便决定周期性。图5典型地显示反方向元件的侦测以便决定周期性。图6典型地显示由于周期性的决定经分类图样及它们的元件。图7典型地显示建构一经隔离配对图样的辅助图样的新元件的方式。图8典型地显示使用经隔离元件及经隔离配对图样间的关系建构一辅助图样的新元件的方式。图9典型地显示使用经隔离元件及经隔离配对图样间的关系建构另一辅助图样的新元件的方式。图10典型地显示使用经隔离元件及经隔离配对图样间的关系建构再另一辅助图样的新元件的方式。图11典型地显示使用具有额外地经建构辅助图样元件的周期性一额外地建构经隔离配对图样的辅助图样的新元件的方式。图12典型地显示使用具有额外地经建构辅助图样元件的周期性一额外地建构经隔离配对图样的辅助图样的新元件的方式。图13典型地显示使用周期图样及它在边缘的元件建构辅助图样的新元件的方式。图14典型地显示第一实施例的辅助图样额外建构的优先权及顺序的决定步骤及图样分类(包括在周围两周期的区域)。图15典型地显示对于具有另一条件期望的图样当在任意方向最靠近的元件间的间隔有预定长度时额外地建构辅助图样的中型元件的方式。图16典型地显示辅助图样额外建构的优先权及顺序的决定步骤及图样分类。图17典型地显示当对于经隔离配对图样没有最靠近的经隔离元件时以垂直于连接该对方向的方向使用元件宽度建构周期辅助图样的新元件的方式。图18典型地显示使用经隔离元件130纵向及横向的元件宽度建构周期辅助图样的新元件的方式。图19典型地显示经隔离配对图样的变化及根据组构改变辅助图样的新元件建构的方法。图20A与图20B典型地显示另一经隔离配对图样的变化及根据组构改变辅助图样的新元件建构的方法。图21典型地显示当具有不同周期的两周期图样的辅助图样彼此干扰时的示范处理。图22典型地显示关于辅助图样间或辅助图样及期望图样间的干扰示范的决定标准。图23典型地显示当具有不同周期的两周期图样的辅助图样彼此干扰时的另一示范处理。图24A-C显示根据本发明的遮罩产生法及遮罩图样形成法的三个流程图。图25是解释使用本发明的曝光设备的装置制造法的流程图。图26是图25所示的步骤54的详细流程图。 |
