| 主权项 |
1.一种晶圆加工用粘着胶带,其特征为基材层的单 面上具有含有烯烃系聚合物作为主成份的粘着层 之粘着胶带,其为贴于该胶带粘着层之经里面研削 至400m厚度的直径6英寸矽晶圆,于温度范围15至35 ℃环境下使用切片机于切片速度70mm/分、切削水 温为20℃下切成3mm四方尺寸之晶片的切断加工时, 所得到晶片欠缺或龟裂之最大长度为0 ~ 30m之晶 片数,对该矽晶圆所可制得之全晶片数而言为至少 90% ~ 100%者。2.如申请专利范围第1项之晶圆加工用 粘着胶带,其中该晶片的欠缺或龟裂之最大长度为 0~10m者。3.一种晶圆加工用粘着胶带,其系为基 材层的单面上具有含有烯烃系聚合物作为主成份 的粘着层之粘着胶带,其特征为该粘着层于15至35 ℃间之贮藏弹性率G'为1MPa以上者。4.如申请专利 范围第3项之晶圆加工用粘着胶带,其中该粘着层 于15至35℃间,损失弹性率G"对贮藏弹性率G'的比之 tan为0.05以上者。5.如申请专利范围第1项至第4 项中任一项之晶圆加工用粘着胶带,其中该粘着层 含有1或2种以上,含有至少2种选自于碳数2至12的 -烯烃之以-烯烃作为主要单位成分之-烯烃共 聚物的混合物作为主成分者。6.如申请专利范围 第1项至第4项中任一项之晶圆加工用粘着胶带,其 中该粘着层系由该-烯烃共聚物、热可塑性弹性 体、乙烯与其他与-烯烃的共寡聚物所成,-烯 烃共聚物系形成连续相,热可塑性弹性体系形成分 散相。7.如申请专利范围第6项之晶圆加工用粘着 胶带,其中该热可塑性弹性体,以一般式A-B-A或A-B(A 为表示芳香族乙烯基聚合物嵌段或结晶性之烯烃 聚合物嵌段,B为表示二烯聚合物嵌段,或氢化的烯 烃聚合物嵌段)所表示的嵌段共聚合物。8.如申请 专利范围第5项之晶圆加工用粘着胶带,其中该- 烯烃共聚物的1种为将丙烯、1-丁烯及碳数5至12的 -烯烃共聚合所成之-烯烃共聚物。9.如申请专 利范围第8项之晶圆加工用粘着胶带,其中碳数5至 12的-烯烃系为4-甲基-1-戊烯。10.如申请专利范 围第1项至第4项中任一项之晶圆加工用粘着胶带, 其中该基材层由1层或复数层所成,以含有烯烃系 共聚物为主成分者。11.如申请专利范围第1项至第 4项中任一项之晶圆加工用粘着胶带,其中该粘着 胶带于20至80℃温度范围下,依「JIS Z0237的参考栏 」所记载为依据所测定的Probe Tack力为0.01至1N/5mm ℃范围内。12.如申请专利范围第1项至第4项中任 一项之晶圆加工用粘着胶带,其中该粘着胶带,系 将基材层与粘着层以共压出成形法所形成者。13. 一种晶圆加工用粘着胶带之制造方法,其特征为由 具有1或复数层所成的基材层,与层叠于该基材层 单面上之具有粘着层的如申请专利范围第1项至第 12项中任一项之粘着胶带的制造方法,其为使构成 基材层及粘着层的聚合体之熔融流动率(MFR,ASTM D 1238为准,温度为230℃,重量为2.16kg所测定値)为5至40 g/10分,且邻边层的MFR差为10g/10分以下,熔融温度为 200至260℃,且使邻边层的熔融温度差为0~30℃,而使 用多层膜经共压出成形法成形者。14.一种晶圆加 工用粘着胶带的使用方法,其特征为将如申请专利 范围第1项至第12项中任一项之晶圆加工用粘着胶 带与晶圆间以20至80℃下压涂,15至35℃下将晶圆经 切断加工成晶片,再将该粘着胶带于40至80℃下伸 展,其后室温下取出(pick-up)晶片,自粘着胶带剥离 者。15.如申请专利范围第14项之晶圆加工用粘着 胶带的使用方法,其中该晶圆为表面上形成电路图 案之半导体晶圆,该切断加工为切片处理者。图式 简单说明: 图1表示本发明晶圆加工用粘着胶带的一实施型态 截面图。 图2表示本发明晶圆加工用粘着胶带的一实施型态 截面图。 图3表示本发明晶圆加工用粘着胶带的一实施型态 截面图。 图4表示本发明晶圆加工用粘着胶带的一实施型态 截面图。 图5表示本发明晶圆加工用粘着胶带的一实施型态 截面图。 图6表示本发明晶圆加工用粘着胶带的一实施型态 截面图。 图7表示本发明晶圆加工用粘着胶带卷成滚筒状的 状态侧面图。 图8表示本发明晶圆加工用粘着胶带卷成滚筒状的 状态其他侧面图。 图9表示晶片由粘着胶带面所观察到的外观图(上 图),以及产生欠缺后裂痕之放大模型图(下图)。 图10表示晶片的隅角部位产生缺欠或龟裂时由晶 片的粘着面上观察之放大模型图。 图11表示晶片的隅角部位产生缺欠或龟裂时由晶 片的粘着面上观察之放大模型图。 图12表示粘着层的贮藏弹性率G',损失弹性率G",tan 的测定结果图。 图13表示粘着层垂直方向的电子显微镜截面照片 。 图14表示粘着层平行方向的电子显微镜截面照片 。 |
