| 主权项 |
1.一种研磨垫量测监控装置,包括: 一化学机械研磨机台; 一研磨垫,放置于该化学机械研磨机台之既定位置 ; 一量测装置,耦接于该化学机械研磨机台,用以量 测该研磨垫之厚度,该量测装置包括一具有一雷射 光发射装置位移感测器及一遮断器,该遮断器用以 遮断该雷射光发射装置发射之雷射光之反射光线; 及 一显示装置,用以显示该量测装置所量测之结果。 2.一种研磨垫量测监控方法,包括下列步骤: 提供一化学机械研磨机台; 放置一研磨垫于该化学机械研磨机台之既定位置; 于该化学机械研磨机台之载具上设置一量测装置; 该量测装置于该载具移动时,该量测装置发射光线 至该遮断器; 该光线发射至该遮断器后会反射回量测装置,并提 供一信息,根据该信息以计算该研磨垫之量测结果 ;及 当该研磨垫之量测结果大于一设定値时,则进行晶 圆之研磨动作。3.如申请专利范围第2项所述之研 磨垫量测监控方法,其中当该研磨垫之量测结果小 于该设定値时,则更换研磨垫。4.如申请专利范围 第2项所述之研磨垫量测监控方法,其中该设定値 为1.3 mm。5.如申请专利范围第4项所述之研磨垫量 测监控方法,其中该设定値为上下二研磨垫之厚度 总和。6.如申请专利范围第4项所述之研磨垫量测 监控方法,其中该光线为雷射光。图式简单说明: 第1a图系一化学机械研磨机台之示意图。 第1b图系一习知研磨垫剖面之示意图。 第2a、2b图系另一习知研磨垫之示意图。 第2c图系由第2b图之研磨垫所量测而得之剖面之示 意图。 第3图系习知之化学机械研磨机台示意图。 第4图系本发明之化学机械研磨机台示意图。 第5图系本发明之量测监控研磨垫厚度之流程图。 |
