发明名称 低耗损之高射频传输方法及装置
摘要 本发明是一种高频接收器利用一低损失的输入级与中级杂讯匹配区块作用,以减低高频信号之插入损失以及杂讯系数。此输入期与中级杂讯匹配区块是利用一种悬吊于基板的匹配电路,且其中此基板是一自由空间。此中级杂讯匹配区块更包含一悬吊于基板侧边之耦合器,此一耦合器系悬吊于基板的一个自由空间中。使用此一接收器时,不论是单独或合并此悬吊于基板之输入匹配电路以及具有连结器之中级匹配电路,皆可使插入损失降低并增进此一高频接收器整体之杂讯系数。
申请公布号 TW574792 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW091112078 申请日期 2002.06.05
申请人 单石股份有限公司 发明人 诺艾尔 罗培兹
分类号 H04B7/00;H03H7/38 主分类号 H04B7/00
代理机构 代理人 蔡玉玲 台北市大安区敦化南路二段二一八号五楼A区
主权项 1.一种高频传输系统,包括: (a)一输入杂讯匹配区块,包括一悬吊于基板之输入 杂讯匹配电路,用以接收一高频讯号,并且该输入 杂讯匹配电路输入杂讯与该高频信号匹配,且该输 入杂讯匹配电路包括: 1)一第一接地板; 2)一第二接地板; 3)一导体,位于该第一接地板与该第二接地板之间; 4)一基板,位于该导体与该第二接地板之间,与该导 体交流;以及 5)一自由空间,位于该基板与该第二接地板之间,以 及 (b)一第一放大电路,用以接收并放大该高频信号, 以产生一放大之高频信号,且放大器与该输入杂讯 匹配区块交流。2.如申请专利范围第1项所述之高 频传输系统,更包括: (a)一中级杂讯匹配区块,用以接收该放大之高频信 号,该中级杂讯匹配区块包含一悬吊于基板之带线 耦合器,且该悬吊于基板之带线耦合器系用以提供 一直流(DC)区块,且该带线耦合器包括: 1)一第一耦合器接地板; 2)一第二耦合器接地板; 3)一第一耦合器导体,位于该第一耦合器接地板与 该第二耦合器接地板之间; 4)一第二耦合器导体,位于该第一耦合器导体与该 第二耦合器接地板之间; 5)一耦合器基板,位于该第一耦合器导体与该第二 耦合器导体之间,且该耦合器基板与该第一耦合器 导体与该第二耦合器导体交流; 6)一介层洞,位于该耦合器基板,且该介层洞与该第 一耦合器导体与该第二耦合器导体交流;以及 7)一自由空间,位于该第二耦合器导体与该第二耦 合器接地板之间。3.如申请专利范围第2项所述之 高频传输系统,其中该中级杂讯匹配区块,包含一 悬吊于基板之中级杂讯匹配电路,用以接收一高频 信号,该中级杂讯匹配电路输入杂讯与该高频信号 匹配,且该悬吊于基板之中级杂讯匹配电路包括: 1)一第三接地板; 2)一第四接地板; 3)一第二导体,位于该第三接地板与该第四接地板 之间; 4)一第二基板,位于该第二导体与该第四接地板之 间,与该第二导体交流;以及 5)一第二自由空间,位于该第二基板与该第四接地 板之间。4.一种高频传输系统,包括: (a)一悬吊于基板之带线耦合器,该悬吊于基板之带 线耦合器系用以提供一直流(DC)区块,该带线耦合 器包括: 1)一第一耦合器接地板; 2)一第二耦合器接地板; 3)一第一耦合器导体,位于该第一耦合器接地板与 该第二耦合器接地板之间; 4)一第二耦合器导体,位于该第一耦合器导体与该 第二耦合器接地板之间; 5)一耦合器基板,位于该第一耦合器导体与该第二 耦合器导体之间,且该耦合器基板与该第一耦合器 导体与该第二耦合器导体交流; 6)一介层洞,位于该耦合器基板,且该介层洞与该第 一耦合器导体与该第二耦合器导体交流;以及 7)一自由空间,位于该第二耦合器导体与该第二耦 合器接地板之间。5.一种悬吊于基板之带线耦合 器,包括: 1)一第一耦合器接地板; 2)一第二耦合器接地板; 3)一第一耦合器导体,位于该第一耦合器接地板与 该第二耦合器接地板之间; 4)一第二耦合器导体,位于该第一耦合器导体与该 第二耦合器接地板之间; 5)一耦合器基板,位于该第一耦合器导体与该第二 耦合器导体之间,且该耦合器基板与该第一耦合器 导体与该第二耦合器导体交流; 6)一介层洞,位于该耦合器基板,且该介层洞与该第 一耦合器导体与该第二耦合器导体交流;以及 7)一自由空间,位于该第二耦合器导体与该第二耦 合器接地板之间。6.一种高射频传输方法,至少包 含以下步骤: (a)提供一第一输入匹配电路,用以接收一射频(RF) 信号,且该第一输入匹配电路包括: 1)一第一接地板; 2)一第二接地板; 3)一导体,位于该第一接地板与该第二接地板之间; 4)一基板,位于该导体与该第二接地板之间,与该导 体交流;以及 5)一自由空间,位于该基板与该第二接地板之间,以 及 (b)提供一第一放大电路,连接该第一输入匹配电路 ,用以接收并放大该射频信号,以产生一放大之射 频信号。7.如申请专利范围第6项所述之高射频传 输方法,更包括下列步骤: (a)提供一中级杂讯匹配区块,用以接收该放大之高 频信号,该中级杂讯匹配区块包含一悬吊于基板之 带线耦合器,该悬吊于基板之带线耦合器系用以提 供一直流(DC)区块,且该带线耦合器包括: 1)一第一耦合器接地板; 2)一第二耦合器接地板; 3)一第一耦合器导体,位于该第一耦合器接地板与 该第二耦合器接地板之间; 4)一第二耦合器导体,位于该第一耦合器导体与该 第二耦合器接地板之间; 5)一耦合器基板,位于该第一耦合器导体与该第二 耦合器导体之间,且该耦合器基板与该第一耦合器 导体与该第二耦合器导体交流; 6)一介层洞,位于该耦合器基板,且该介层洞与该第 一耦合器导体与该第二耦合器导体交流;以及 7)一自由空间,位于该第二耦合器导体与该第二耦 合器接地板之间。8.一种高射频传输方法,至少包 含以下步骤: 一悬吊于基板之带线耦合器,且该悬吊于基板之带 线耦合器系用以提供一直流(DC)区块,且该带线耦 合器包括: 1)一第一耦合器接地板; 2)一第二耦合器接地板; 3)一第一耦合器导体,位于该第一耦合器接地板与 该第二耦合器接地板之间; 4)一第二耦合器导体,位于该第一耦合器导体与该 第二耦合器接地板之间; 5)一耦合器基板,位于该第一耦合器导体与该第二 耦合器导体之间,且该耦合器基板与该第一耦合器 导体与该第二耦合器导体交流; 6)一介层洞,位于该耦合器基板,且该介层洞与该第 一耦合器导体与该第二耦合器导体交流;以及 7)一自由空间,位于该第二耦合器导体与该第二耦 合器接地板之间。图式简单说明: 第1图为本发明之具有悬吊式基板杂讯匹配输入级 电路的前端高频接收器区块图。 第2图为习知技术高频传输的杂讯匹配电路的外观 。 第3图是一个本发明杂讯匹配输入级电路的外观。 第4图为本发明另一个前端高频接收器的悬吊式基 板输入杂讯匹配侧耦合器的区块图; 第5图说明,根据本发明之利用悬吊式基板侧耦合 器之另一个前端高频接收器的实施例区块图; 第6A图说明本发明的悬吊式基板侧耦合器的侧视 剖面图; 第6B图说明本发明所制的悬吊式基板侧耦合器的 前(或后)视剖面图; 第7图是本发明具有悬吊式基板匹配电路及一个单 层电容的前端高频接收器的频率响应图示; 第8图是本发明利用悬吊式基板匹配电路及一个悬 吊式基板侧耦合器的前端高频接收器的频率响应 图示。
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