半导体器件

摘要

本发明的课题在于提供简化了电容器结构的半导体器件。电容器CP10和源·漏区11及13的电连接由全都插入电容器CP10内、到达源·漏区11及13的接触栓101进行。电容器CP10具有埋入在层间绝缘膜3的上主面内而设置的电容器上部电极103和覆盖电容器上部电极103的侧面及下表面而设置的电容器电介质膜102。还有，电容器电介质膜102被设置成使之覆盖以贯通电容器上部电极103的方式而设置的接触栓101的侧面，被接触栓101的电容器电介质膜102覆盖的部分具有作为电容器下部电极101的功能。

主权项

1.一种半导体器件，它是多层结构的半导体器件，其特征在于：具备：设置在层间绝缘膜的第1区的上主面内的电容器；以及设置在上述层间绝缘膜的第2区的上主面内的布线层，上述电容器具有：埋入上述层间绝缘膜的上述第1区的上主面内而设置的电容器上部电极；至少覆盖上述电容器上部电极的侧面及下表面而设置的电容器电介质膜；在将上述电容器与比上述电容器更靠下层的结构电连接的同时，在上述电容器上部电极的厚度方向上其一部分被插入，插入部分具有作为电容器下部电极功能的至少一个下部电极兼用栓，上述电容器电介质膜也一并覆盖上述至少一个下部电极兼用栓的上述插入部分的表面，上述布线层在上述布线层的厚度方向上利用其一部分被插入的至少一个接触栓与比上述布线层更靠下层的结构电连接。