| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在由铜形成的第2上层再布线(13)的除连接焊盘部以外的表面上，按照氧化第2铜层(14)、氧化第1铜层(15)顺序设置氧化第2铜层(14)和氧化第1铜层(15)。这样一来，与没有氧化第2铜层(14)和氧化第1铜层(15)的情况相比较，可以提高与铜形成的第2上层再布线(13)和聚酰亚胺和环氧树脂系树脂形成的密封膜(17)的密合性，可以提高耐湿性。 | ||
| 申请公布号 | CN1471161A | 申请公布日期 | 2004.01.28 |
| 申请号 | CN03143047.3 | 申请日期 | 2003.06.16 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 河野一郎;冈田修 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体构成体(3、41)，其包含具有集成电路部的半导体衬底(4)、及与上述集成电路部连接的多个连接焊盘(5)；多个再布线(13、10)，在上述半导体构成体(3、41)上形成，分别与上述连接焊盘(5)连接且具有连接焊盘部；及密封膜(17、12)，形成在包含上述再布线(13、10)上的上述半导体构成体(3、41)上，且由树脂形成；至少在上述再布线(13、10)的除上述连接焊盘部以外的表面，形成氧化铜层(14、15)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||