发明名称 经包装对辐射敏感之经涂覆工件及其制造方法及贮存方法
摘要 本发明包括一种经包装之经涂覆工件。该经包装之经涂覆工件具有:(1)一种对光辐射、颗粒或化学污染物敏感之经抗蚀剂薄膜涂覆之工件;(2)一种密封封闭该经涂覆工件及视需要一种第一吸气剂之内屏障层,其用于产生一种经密封的第一封闭物;及(3)一种密封封闭该经密封之第一封闭物及选择性一种第二吸气剂之外屏障层,但其限制条件为该经包装之经涂覆工件具有至少一种吸气剂,以产生一种适用于贮存至少一星期而不实质损失敏感性、分辨度或性能之经包装之经涂覆工件。本发明亦包括一种制备一经包装之经涂覆工件及一种增加经涂覆工件之贮存时间到至少一星期而不实质损失敏感性、分辨度或性能之方法。
申请公布号 TW573218 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW091104277 申请日期 2002.03.07
申请人 万国商业机器公司 发明人 玛丽 安琪拉普洛丝;黄吾松;瑞尼 汪威霖;大卫 罗伯特 米德洛斯;威尼 马汀 蒙洛;凯伦 伊莉莎白 派特罗;贺曼 罗素 文迪;克里斯托夫 卡尔 梅葛
分类号 G03F7/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种经包装之经涂覆工件,其包括:一种对光辐射、颗粒或化学污染物敏感之经抗蚀剂薄膜涂覆之工件;一种经密封之封闭物,其包括一层或多层自外部环境隔离该经涂覆工件之屏障层;及一种或多种用于产生一实质不含化学污染物之封闭物之吸气剂;其中该经包装之经涂覆工件适用于在实质不损失敏感性、分辨度或处理范围下贮存至少一星期时间。2.根据申请专利范围第1项之经包装之经涂覆工件,其中该抗蚀剂薄膜为一种化学增大抗蚀剂或非化学增大抗蚀剂。3.根据申请专利范围第2项之经包装之经涂覆工件,其中该经涂覆工件为一种经抗蚀剂涂覆之隔罩。4.根据申请专利范围第3项之经包装之经涂覆工件,其中该经涂覆工件为一种于石英隔壁上的经抗蚀剂涂覆之铬薄膜。5.根据申请专利范围第1项之经包装之经涂覆工件,其中该工件为一种适用于制造微电子装置之基材。6.根据申请专利范围第1项之经包装之经涂覆工件,其中该工件为一种适用于制造一罩幕之基材,该罩幕系选自由电子束、x-射线、粒子束、受激态原子束、离子束及光罩幕所组成之群。7.根据申请专利范围第1项之经包装之经涂覆工件,其中该经密封之封闭物包括一内屏障层及一外屏障层。8.根据申请专利范围第7项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层及外屏障层系用一种不透光辐射和颗粒之材料制成。9.根据申请专利范围第8项之经包装之经涂覆工件,其中该颗粒包括尘埃。10.根据申请专利范围第8项之经包装之经涂覆工件,其中该光辐射系选自由紫外(UV)辐射及可见光辐射所组成之群。11.根据申请专利范围第10项之经包装之经涂覆工件,其中该紫外(UV)辐射为一深紫外辐射。12.根据申请专利范围第7项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层及外屏障层系用一种不透化学污染物之材料制成,但其限制条件为该内屏障层视需要具有一或多个用于使该内屏障层可透过该化学污染物之开口。13.根据申请专利范围第12项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层中的一或多个开口视需要藉由一种微孔性材料覆盖,俾使该一或多个经覆盖开口不透过颗粒。14.根据申请专利范围第13项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物为一种能够导致该经涂覆工件的至少一种性能降低之固态、液态或气态污染物。15.根据申请专利范围第13项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物包括一酸前体或一硷前体。16.根据申请专利范围第15项之经包装之经涂覆工件,其中该酸前体包括NO2和SO2散发物及湿气。17.根据申请专利范围第13项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物为一种酸或硷。18.根据申请专利范围第13项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物为湿气。19.根据申请专利范围第8项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层及外屏障层系用一种选自由金属箔、塑胶及经加填料之塑胶所组成之群之材料制成。20.一种经包装之经涂覆工件,其包括:一种对光辐射、颗粒或化学污染物敏感之经抗蚀剂薄膜涂覆之工件;一种经密封之封闭物,其包括自外部环境隔离该经涂覆工件之一内屏障层及一外屏障层;及至少一种封闭在该内屏障层和/或该外屏障层内用于产生实质不含化学污染物之封闭物之吸气剂;其中该经包装之经涂覆工件适用于在实质不损失敏感性、分辨度或处理范围下贮存至少三个月时间。21.一种经包装之经涂覆工件,其包括:一种对光辐射、颗粒或化学污染物敏感之经抗蚀剂薄膜涂覆之工件;一种密封封闭该经涂覆工件及选择性一种第一吸气剂之内屏障层,以产生一种经密封之第一封闭物;及一种密封封闭该第一封闭物及选择性一种第二吸气剂之外屏障层,以在实质不损失敏感性、分辨度或性能下贮存至少一星期时间,但其限制条件为该经包装之经涂覆工件具有至少一种吸气剂。22.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该抗蚀剂薄膜为一化学增大抗蚀剂或一非化学增大抗蚀剂。23.根据申请专利范围第22项之经包装之经涂覆工件,其中该经涂覆工件为一种经抗蚀剂涂覆之隔罩。24.根据申请专利范围第23项之经包装之经涂覆工件,其中该经涂覆工件为一种于石英隔壁上之经抗蚀剂涂覆之铬薄膜。25.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该工件为一种适用于制造微电子装置之基材。26.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该经涂覆工件为一种适用于制造一罩幕之基材,该罩幕系选自由电子束、x-射线、粒子束、受激态原子束、离子束及光罩幕所组成之群。27.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层及外屏障层系用一种不透光辐射和颗粒之材料制成。28.根据申请专利范围第27项之经包装之经涂覆工件,其中该颗粒包括尘埃。29.根据申请专利范围第27项之经包装之经涂覆工件,其中该光辐射系选自由紫外(UV)辐射及可见光辐射组成之群。30.根据申请专利范围第29项之经包装之经涂覆工件,其中该紫外(UV)辐射为一深紫外辐射。31.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层及外屏障层系用一种不透化学污染物之材料制成,但其限制条件为该内屏障层视需要具有一或多个用于使该内屏障层可透过该化学污染物之开口。32.根据申请专利范围第31项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层中的一或多个开口视需要藉由一种微孔性材料覆盖,俾该一或多个经覆盖开口不透过颗粒。33.根据申请专利范围第32项之经包装之涂覆工件,其中该化学污染物为一种能够导致该经涂覆工件至少一种性能降低之固态、液态或气态污染物。34.根据申请专利范围第32项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物包括一酸前体或一硷前体。35.根据申请专利范围第34项之经包装之经涂覆工件,其中该酸前体包括NO2和SO2散发物及湿气。36.根据申请专利范围第32项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物为酸或硷。37.根据申请专利范围第32项之经包装之经涂覆工件,其中该化学污染物为湿气。38.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该第一吸气剂和第二吸气剂分别能够在室温将该封闭物内保持小于25%之相对湿度。39.根据申请专利范围第38项之经包装之经涂覆工件,其中该第一吸气剂和第二吸气剂系分别独立选自由化学乾燥剂、水吸收剂、硷吸收剂、酸吸收剂、气体吸收剂或其组合所组成之群。40.根据申请专利范围第39项之经包装之经涂覆工件,其中该第一吸气剂和第二吸气剂系分别独立选自由氧化铝、矽胶、活性碳、柠檬酸、碳酸钾、胺及其组合所组成之群。41.根据申请专利范围第40项之经包装之经涂覆工件,其中该第一吸气剂和第二吸气剂分别为矽胶、活性碳及碳酸钾之组合。42.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中至少一些该第一或第二吸气剂系封闭于一微孔性材料内。43.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该微孔性材料为一种经氟化之烃材料。44.根据申请专利范围第43项之经包装之经涂覆工件,其中该经氟化之烃材料系选自由氟烃、亚乙烯基二氟同聚物、亚乙烯基二氟共聚物、GoretexTM、TeflonTM或其组合所组成之群。45.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层及外屏障层系用一种选自由金属箔、塑胶及经加填料之塑胶所组成之群。46.根据申请专利范围第45项之经包装之经涂覆工件,其中该材料系选自由一加碳塑胶、加石墨塑胶、以金属颗粒、金属片体或金属纤维填加之塑胶、以有机或无机离子导体填加之塑胶、含紫外线吸收剂之塑胶、含红外线吸收剂之塑胶及其混合物所组成之群。47.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其中该内屏障层和外屏障层各为一可密封袋。48.根据申请专利范围第21项之经包装之经涂覆工件,其进一步在该内屏障层和外屏障层之间包括一种密封封闭该经密封之第一封闭物及视需要一种中间吸气剂之中间屏障层,以产生一经封闭之中间封闭物。49.根据申请专利范围第48项之经包装之经涂覆工件,其进一步包括额外中间屏障层。50.一种制备经包装之经涂覆工件之方法,该工件适合在实质不损失敏感性、分辨度或性能下贮存至少一星期时间,该方法包括在一屏障层中密封一种经涂覆工件及一种吸气剂之步骤,以封闭该经涂覆工件及该吸气剂,从而产生该经包装之经涂覆工件。51.一种制备经包装之经涂覆工件之方法,该工件适合在实质不损失敏感性、分辨度或性能下贮存至少一星期时间,该方法包括步骤:将一种经涂覆工件和选择性一种第一吸气剂密封在一内屏障层中,以封闭该经涂覆工件及该选择性第一吸气剂,从而产生一种经密封之第一封闭物;及将该经密封之第一封闭物和选择性一种第二吸气剂密封在一外屏障层内,以封闭该经密封之第一封闭物及该选择性第二吸气剂,从而产生该经包装之经涂覆工件,但其限制条件为该经包装之经涂覆工件具有至少一种吸气剂。52.根据申请专利范围第51项之方法,其中该经涂覆之工件为一种经抗蚀剂涂覆之隔罩。53.根据申请专利范围第51项之方法,其进一步包括在一中间屏障层中封闭该经密封之第一封闭物及选择性一种中间吸气剂,以封闭该经密封之第一封闭物及该选择性中间吸气剂,从而在该外屏障层中形成一用于封闭之中间封闭物。54.根据申请专利范围第53项之方法,其进一步包括在封闭之前于该外屏障层中形成额外中间屏障层。55.一种将经涂覆工件之贮存时间增加到至少一星期而不实质损失敏感性、分辨度或性能之方法,该方法包括:藉由一种方法包装一经涂覆工件,其包括在一屏障层中密封一种经涂覆之工件及一种吸气剂之步骤,以封闭该经涂覆之工件及该吸气剂,以产生该经包装之经涂覆工件。56.一种将经涂覆工件之贮存时间增加到至少一星期而不实质损失敏感性、分辨度或性能之方法,该方法包括:藉由一种方法包装一经涂覆工件,其包括:将一种经涂覆工件和选择性一种第一吸气剂密封在一内屏障层中,以封闭该经涂覆工件及该选择性第一吸气剂,以产生一种经密封之第一封闭物;及将该经密封之第一封闭物和选择性一种第二吸气剂密封在一外屏障层中,以封闭该经密封之第一封闭物及该选择性第二吸气剂,从而产生该经包装之经涂覆工件,但其限制条件为该经包装之涂覆工件具有至少一种吸气剂。图式简单说明:图1为经密封之封闭物中一经包装之经涂覆工件之示意图。该经密封之封闭物包括一单层屏障层,且包含一种或多种吸气剂。图2为经双层屏障层密封的封闭物中一经包装之经涂覆工件之示意图。图3为一KRS-XE晶圆在不同温度和湿度放置的薄膜损失-晶圆放置时间之标绘图。图4a,4b,4c及4d为经KRS-XE抗蚀剂涂覆之晶圆分辨到100奈米等线和间隔之扫描电子显微相(SEM)。图5a,5b,5c及5d为经KRS-XE抗蚀剂涂覆之晶圆分辨到75奈米等线和间隔之扫描电子显微相(SEM)。
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