| 主权项 |
1.一种于一工作件上作业之方法,该方法包含造成 工作件与能束于横向方向相对移动,因而暴露一系 列工作件上的位置至能束;以及于各个位置,造成 能束以预定方式相对于工作件移动,有一分子系横 越横向方向,因此于各个位置,工作件材料由能束 熔化及置换因而形成腔穴或孔洞。2.如申请专利 范围第1项之方法,进一步包含初步选择能束之移 动方式,让能束以经过控制之预定方式移动。3.如 申请专利范围第1或2项之方法,其中当于各个位置 形成孔洞时,孔洞相对于能束之名目方向具有非对 称形状。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中 当于各个位置形成于孔洞时,工作件系位于背衬基 板上,能束通过工作件的孔洞,冲击于背衬基板。5. 如申请专利范围第1或2项之方法,其中当于各个位 置形成一孔洞时,能束以预定方式移动系于孔洞形 成前或形成后进行。6.如申请专利范围第1项之方 法,其中该预定移动包括二次偏转如圆形、直线、 椭圆及/或单纯几何图形移动。7.如申请专利范围 第6项之方法,其中功率射束系以低频率偏转形成 孔洞或腔穴,以及然后以第二不同频率偏转。8.如 申请专利范围第1项之方法,其中该射束之操控包 括能束密度分布之时间或空间调变中之一或多者 。9.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含熔化 及置换固化材料而获得预定边缘侧绘。10.如申请 专利范围第1项之方法,其中于各个位置,工作件材 料熔化以及于能束影响之下以横向方向间隔,因而 允许固化形成一腔穴或孔洞由固化材料去包围,该 区相对于毗邻工作件表面为升高。11.如申请专利 范围第1项之方法,其中该腔穴或孔洞系以至少每 秒500之速率于工作件形成。12.如申请专利范围第 11项之方法,其中该腔穴孔洞系以至少每秒580之速 率于工作件形成。13.如申请专利范围第1项之方法 ,其中该能束于各位间系以约1仟米/秒之速率移动 。14.如申请专利范围第1项之方法,其中各位置间 的变迁时间系位于各个位置驻留时间之1/100。15. 如申请专利范围第1项之方法,其中该腔穴或孔洞 具有最大直径约0.6毫米。16.如申请专利范围第1项 之方法,其中该腔穴或孔洞具有深度于0.6-1毫米之 范围。17.如申请专利范围第1项之方法,其中该腔 穴或孔洞系以约1毫米间距隔开。18.如申请专利范 围第1项之方法,其中该尖峰功率密度系于105-107瓦/ 平方毫米之范围。19.如申请专利范围第1项之方法 ,其中该腔穴或孔洞具有最大直径小于约10微米。 20.如申请专利范围第1项之方法,其中该腔穴或孔 洞具有最大直径小于约2毫米。21.如申请专利范围 第1项之方法,其中该腔穴或孔洞实质上相等大小 。22.如申请专利范围第1项之方法,其中该腔穴或 孔洞隙排列成方形或紧密填塞之阵列形式。23.如 申请专利范围第1项之方法,其中各孔洞或腔穴具 有凹型空腔侧绘。24.如申请专利范围第1项之方法 ,其中能束包含电子束或雷射束。25.如申请专利范 围第1项之方法,其中于能束之电流系跨能束直径 分布,因此环绕能束中区之能束环圈电流至少为中 区电流之半,该中区之横向维度实质上系等于射束 直径的三分之一。26.如申请专利范围第25项之方 法,其中该环圈电流至少系等于中区电流。27.如申 请专利范围第25项之方法,其中该环圈电流为中区 电流之二或三倍。28.如申请专利范围第1项之方法 ,其中部份预定移动造成毗邻该位置区域被加热。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中毗邻区域系 环绕该位置。30.如申请专利范围第28项之方法,其 中毗邻区域系组成另一位置。31.如申请专利范围 第30项之方法,其中另一位置系于腔穴或孔洞形成 于该另一位置之前被加热。32.如申请专利范围第 30项之方法,其中另一位置系于腔穴或孔洞形成于 该另一位置之后被加热。33.如申请专利范围第28 至32项中任一项之方法,其中该部份预定移动系具 有与该位置之预定移动不同形式。34.如申请专利 范围第28项之方法,其中该部份预定移动系具有光 栅形式。35.如申请专利范围第1项之方法,其中各 个位置隔开,因而由毗邻位置异位之材料彼此接触 。36.如申请专利范围第35项之方法,其中形成毗邻 位置间的时间长度让由毗邻位置置换出的材料仍 维持熔融且聚结。37.如申请专利范围第1项之方法 ,进一步包含于腔穴或孔洞形成期间变更能束焦点 。38.如申请专利范围第1项之方法,其中该工作件 包含金属。39.如申请专利范围第1项之方法,其中 该工作件包含煞车衬垫背衬板。40.如申请专利范 围第1项之方法,其中该能束系连续施用。41.一种 工作件,其已经接受使用如申请专利范围第1项之 方法之作业处理。42.一种接合于工作件至另一元 件之方法,该方法包含使用如申请专利范围第1项 之方法改在工作件表面,因而形成一或多个腔穴于 工作件表面;以及将另一元件黏着至该工作件间制 备妥的表面。43.如申请专利范围第42项之方法,其 中该另一元件包含聚合物。44.如申请专利范围第 42项之方法,其中该另一元件系由尼龙、PTFE(聚四 氟乙烯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚胺基甲酸指 、铝及其合金、酚系树脂以及镁及其合金之一制 成。45.如申请专利范围第42项之方法,其中另一元 件包含煞车衬垫。46.如申请专利范围第1项之方法 ,其中于各个位置之材料被熔化及置换俾改进工作 件与第二材料间的黏着。图式简单说明: 第1a-1h图显示形成带有凹型空腔结构之腔穴之连 续形成阶段; 第2A-2C图显示三种不同的腔穴配置; 第3图显示电子束功率密度分布实例; 第4图示意显示进行该方法之装置; 第5图显示进行该方法之装置第二范例之部份视图 ; 第6图显示第5图装置之进一步细节; 第7图显示非对称贯穿孔; 第8a-8e图显示使用背衬基板形成贯穿孔之连续阶 段; 第9a-9e图显示不含背衬基板形成贯穿孔之连续阶 段; 第10图显示相对束移动之加总; 第11a图显示一位置之圆形预热处理; 第11b图显示毗邻位置之光栅预热处理; 第11c图显示毗邻位置之圆形后加热处理;以及 第11d图显示二位置中间区域之直线预热处理。 |
