| 主权项 |
1.一种修正半导体基质上图案膜缺陷之方法,包括 下列步骤: 支撑基质的表面面向朝下; 吹材料气体形成图案膜到于表面上;以及 照射雷射光在表面的白色缺陷上,以形成图案膜覆 盖白色缺陷。2.如申请专利范围第1项所述之方法, 进一步包括下列步骤: 照射雷射光在表面的黑色缺陷之上;以及 汽化图案膜之不需要的部分以修正黑色缺陷。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括下 列步骤: 吹氧气到表面; 照射第一雷射光到表面的图案膜上不需要部分的 以氧化不需要部分的上层; 照射第二雷射光到氧化的表层以剥离氧化的上层; 以及 重复照射第一及第二雷射光的步骤以去除图案膜 之不需要的部分。4.如申请专利范围第1项所述之 方法,其中吹气步骤进一步地吹送清洗气体及载送 气体,清洗气体以防止引导雷射光的窗口云雾化, 载送气体包括载送材料气体的CVD气体;以及 清洗气体及载送气体的主要成分为氦气。5.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中基质被吸住以 保持在支撑的步骤。6.一种修正半导体基质上图 案膜缺陷之装置,包括: 一支架,以支撑基质的表面面向朝下; 一气体循环单元,提供及抽取气体,气体包含材料 气体; 一雷射照射器,以照射雷射光在表面的白色缺陷上 ; 一气窗,吹送材料气体于表面上及引导雷射光从雷 射源通过气窗到白色缺陷以形成图案膜来覆盖白 色缺陷。7.如申请专利范围第6项所述之装置,进一 步包括一光学单元以观察基质上图案膜。8.如申 请专利范围第7项所述之装置,其中基质是可透光, 进一步包括一穿透光源,以照射光通过基质到基质 的下表面以照亮基质的下表面。9.如申请专利范 围第8项所述之装置,其中吸住单元包括一可透光 的顶盖;以及 穿透光源,穿透光源包括有一镜头,镜头设计成参 考顶盖和基材的厚度以补偿镜头的扭曲。10.如申 请专利范围第6项所述之装置,其中雷射照射器包 括第一雷射光源,作为照射第一雷射光以汽化图案 膜,以及第二雷射光源,作为照射第二雷射光以作 为雷射CVD; 第一雷射光通过气窗照射在黑色缺陷上以汽化黑 色缺陷;以及 第二雷射光通过气窗照射在白色缺陷上和由气体 循环单元所提供的材料气体以形成膜覆盖在白色 缺陷。11.如申请专利范围第6项所述之装置,其中 气体循环单元提供清洗气体以及载送气体,清洗气 体以防止引导雷射窗口云雾化,载送气体包括载送 材料气体的CVD气体;以及 清洗气体及载送气体的主要成分为氦气。12.如申 请专利范围第6项所述之装置,其中支架吸住基质 为支撑基质。图式简单说明: 图1所示为说明本发明之图案修正装置之概略图。 图2所示为说明本发明之气窗6之剖面图。 图3所示为说明本发明之抽吸单元9之剖面图。 |
