| 发明名称 |
纳米尺寸蒙脱土及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明属于纳米技术领域，更具体地涉及到纳米尺寸蒙脱土及其制备方法。适用于所有使用纳米尺寸蒙脱土及其概念的领域。其特征在于具有高的比表面积、高活性和高分散性，具备纳米材料的通性，如小尺寸效应、表面效应、光学效应。 |
| 申请公布号 |
CN1468912A |
申请公布日期 |
2004.01.21 |
| 申请号 |
CN02125526.1 |
申请日期 |
2002.07.18 |
| 申请人 |
李伟;菅文广 |
发明人 |
李伟;菅文广;毛树红 |
| 分类号 |
C09C1/42 |
主分类号 |
C09C1/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1、一种纳米尺寸蒙脱土，其特征在于它包含有一维、二维、三维的纳米尺寸，具有高的比表面积、高活性和高分散性。 |
| 地址 |
030006山西省太原市高新技术开发区开拓巷11号晋华大楼三层 |
