发明名称 |
半导体器件清洗装置和清洗半导体器件的方法 |
摘要 |
一种半导体器件清洗装置,在进行用于表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面。半导体晶片表面上放置滚刷以便与该表面接触。第一化学液体槽装有第一化学液体。第一排放喷嘴将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上。第二化学液体槽装有第二化学液体。第二排放喷嘴将第二化学液体喷射到半导体晶片表面上。第一化学液体和第二化学液体是在滚刷和晶片旋转的条件下喷射到半导体晶片表面上的。 |
申请公布号 |
CN1135604C |
申请公布日期 |
2004.01.21 |
申请号 |
CN99107491.2 |
申请日期 |
1999.05.24 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
青木秀充 |
分类号 |
H01L21/302;H01L21/304;B08B1/00;B08B3/02 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
穆德骏;余朦 |
主权项 |
1.一种半导体器件清洗装置,其用于在进行表面的化学机械抛光工艺之后清洗半导体晶片表面,该装置包括:放在半导体晶片表面上以便与晶片表面接触的滚刷;装有第一化学液体的第一化学液体槽;将第一化学液体喷射到半导体晶片表面上的第一排放喷嘴;装有第二化学液体的第二化学液体槽;将第二化学液体喷射到半导体晶片表面上的第二排放喷嘴;第一化学液体和第二化学液体在滚刷和晶片旋转的条件下喷射到半导体晶片表面上,其中第一液体、第二液体和纯水滴到滚刷上。 |
地址 |
日本神奈川 |