| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de croissance d'une région (22) monocristalline d'un composé III-V sur une surface correspondant à un plan cristallographique d'un substrat (10) de silicium monocristallin, comprenant les étapes consistant à faire croître par épitaxie sur le substrat une couche (12) de germanium monocristallin ; graver dans une partie de l'épaisseur de la couche de germanium une ouverture (14) dont le fond correspond à une unique face inclinée par rapport à ladite surface ou à plusieurs faces inclinées (18, 20) par rapport à ladite surface ; et faire croître le composé III-V monocristallin sur le fond de l'ouverture.</P> |
