| 发明名称 | 半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN1467891A | 申请公布日期 | 2004.01.14 |
| 申请号 | CN03140660.2 | 申请日期 | 2003.06.02 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 吉武春二;寺田俊幸;田中明 |
| 分类号 | H01S5/32;H01S5/22 | 主分类号 | H01S5/32 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器，包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||