发明名称 |
为低VCC读取提升位线电压的方法及装置 |
摘要 |
本发明揭示一种存储器装置,该存储器装置具有与节点(A)电连通的存储单元(202),而当应用一第一电压于该存储单元(202)时,可操作以指示于读取操作期间与储存于存储单元(202)的数据相关联的二进制值。该存储器件包括连接于节点和供应电压之间的电压升压器(220),该供应电压于读取操作期间,为节点提供提升电压,其中该提升电压大于该供应电压。本发明也揭示一种用于读取储存于存储单元(202)中数据的方法(300),包括施加(306)升压电压于与该存储单元(202)电连接的节点(A),其中该提升电压大于该供应电压,以及感测(310)与存储单元(202)相关联的电流,以为了指示于读取操作期间,与储存于存储单元(202)的数据关联的二进制值。 |
申请公布号 |
CN1468437A |
申请公布日期 |
2004.01.14 |
申请号 |
CN01816763.2 |
申请日期 |
2001.12.12 |
申请人 |
先进微装置公司 |
发明人 |
M·A·万布斯科;陈伯苓 |
分类号 |
G11C16/24;G11C7/12;G11C16/26 |
主分类号 |
G11C16/24 |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
戈泊;程伟 |
主权项 |
1.一种存储器件,具有多个存储单元适于储存数据,其包括:至少一个存储单元(202)与节点(A)电连通,并操作以指示在读取操作期间当第一电压施加到所述存储单元作为位线电压时,与储存在存储单元中的数据相关的二进制值;以及电压升压器(220),其连接在所述的节点(A)和供应电压之间,并在读取操作期间操作以提供提升电压至所述的节点,其中所述的提升的电压要大于所述的供应电压,以及其中所述的第一电压为所述的提升的电压的函数。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |