| 发明名称 | 半导体晶片、半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体晶片、半导体装置及其制造方法。本发明在由蓝宝石构成的基板(1)上面根据结晶生长成膜厚度约5μm的氮化镓半导体膜(2)。接着，从基板(1)的半导体膜(2)的相反侧面照射如波长355nm的YAG激光的第三高谐波光。根据该激光照射，在半导体膜(2)的与基板(1)的界面的附近区域激光被吸收，根据所吸收激光的发热，与基板(1)相接的氮化镓被热分解，在半导体膜(2)与基板(1)的界面形成含金属镓的析出层2a。根据本发明确实而大幅度减少形成于半导体膜(晶体取向附生膜)的单晶基板的弯曲。 | ||
| 申请公布号 | CN1467863A | 申请公布日期 | 2004.01.14 |
| 申请号 | CN03141115.0 | 申请日期 | 2003.06.09 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 上田哲三;石田昌宏 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片，其特征在于：包括形成于由单晶构成的基板上的半导体膜和、与所述半导体膜相接来形成并且所述半导体膜的一部分被分解而析出该半导体膜构成元素的析出层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||