| 主权项 |
1.一种在电浆增强型化学气相沈积系统之沈积容 室内维持一电浆电极及一基板载持器之方法,该电 浆电极及该基板载持器各包括涂布一层氧化铝保 护膜之铝基材料,该方法包括下列步骤: 对基板进行电浆增强型化学气相沈积制程后,将该 基板从该沈积容室中取出; 将反应气体导入该沈积容室中; 使该反应气体发生反应以清洁该沈积容室之内壁; 将含氧气体导入该沈积容室中;及 产生含氧气体电浆以便在该电浆电极及该基板载 持器表面形成该氧化铝保护膜。2.如同申请专利 范围第1项之在电浆增强型化学气相沈积系统之沈 积容室内维持一电浆电极及一基板载持器之方法, 其中进行产生该含氧气体电浆之该步骤是为了避 免该电浆增强型化学气相沈积制程从该电浆电极 及该基板载持器之该表面蚀刻该氧化铝保护膜。3 .如同申请专利范围第1项之在电浆增强型化学气 相沈积系统之沈积容室内维持一电浆电极及一基 板载持器之方法,其中进行产生该含氧气体电浆之 该步骤是为了形成厚度约等于或厚于由该电浆增 强型化学气相沈积制程所造成之厚度减少的该氧 化铝保护膜。4.如同申请专利范围第1项之在电浆 增强型化学气相沈积系统之沈积容室内维持一电 浆电极及一基板载持器之方法,其中在对该基板载 持器供应一调整过的DC电压下进行产生该含氧气 体电浆之该步骤,根据该含氧气体电浆之量测电位 调整该DC电压。5.如同申请专利范围第4项之在电 浆增强型化学气相沈积系统之沈积容室内维持一 电浆电极及一基板载持器之方法,其中调整该DC电 压使得RF行进波电位之振幅中心为零电位。6.如同 申请专利范围第1项之在电浆增强型化学气相沈积 系统之沈积容室内维持一电浆电极及一基板载持 器之方法,其中该基板载持器包括一基板载台,该 基板载台是用来支撑该电浆增强型化学气相沈积 制程所处理之基板。7.一种在电浆增强型化学气 相沈积系统之沈积容室内的电浆电极及基板载持 器表面上形成氧化铝保护膜之方法,每一该电浆电 极及该基板载持器包括铝基材料,该方法包括下列 步骤: 将含氧气体导入该沈积容室中;及 产生含氧气体电浆,以便在该电浆电极及该基板载 持器表面形成该氧化铝保护膜。8.如同申请专利 范围第7项之在电浆增强型化学气相沈积系统之沈 积容室内的电浆电极及基板载持器表面上形成氧 化铝保护膜之方法,其中进行产生该含氧气体电浆 之该步骤是为了避免该电浆增强型化学气相沈积 制程从该电浆电极及该基板载持器之该表面蚀刻 该氧化铝保护膜。9.如同申请专利范围第7项之在 电浆增强型化学气相沈积系统之沈积容室内的电 浆电极及基板载持器表面上形成氧化铝保护膜之 方法,其中进行产生该含氧气体电浆之该步骤是为 了形成厚度约等于或厚于由该电浆增强型化学气 相沈积制程所造成之厚度减少的该氧化铝保护膜 。10.如同申请专利范围第7项之在电浆增强型化学 气相沈积系统之沈积容室内的电浆电极及基板载 持器表面上形成氧化铝保护膜之方法,其中在对该 基板载持器供应一调整过的DC电压下进行产生该 含氧气体电浆之该步骤,根据该含氧气体电浆之量 测电位调整该DC电压。11.如同申请专利范围第10项 之在电浆增强型化学气相沈积系统之沈积容室内 的电浆电极及基板载持器表面上形成氧化铝保护 膜之方法,其中调整该DC电压使得RF行进波电位之 振幅中心为零电位。12.如同申请专利范围第7项之 在电浆增强型化学气相沈积系统之沈积容室内的 电浆电极及基板载持器表面上形成氧化铝保护膜 之方法,其中该基板载持器包括一基板载台,该基 板载台是用来支撑该电浆增强型化学气相沈积制 程所处理之基板。13.一种使用电浆增强型化学气 相沈积系统的电浆增强型化学气相沈积法,该系统 包括可容纳一电浆电极及一基板载持器之一沈积 容室且每一该电浆电极及该基板载持器包括涂布 一层氧化铝保护膜之铝基材料。该电浆增强型化 学气相沈积法包括下列步骤: 对基板进行电浆增强型化学气相沈积制程; 将该基板从该沈积容室中取出; 将反应气体导入该沈积容室中; 使该反应气体发生反应以清洁该沈积容室之内壁; 导入含氧气体至该沈积容室中;及 产生该含氧气体电浆,以便在该电浆电极及该基板 载持器表面形成该氧化铝保护膜。14.如同申请专 利范围第13项之使用电浆增强型化学气相沈积系 统的电浆增强型化学气相沈积法,其中进行产生该 含氧气体电浆之该步骤是为了避免该电浆增强型 化学气相沈积制程从该电浆电极及该基板载持器 之该表面蚀刻该氧化铝保护膜。15.如同申请专利 范围第13项之使用电浆增强型化学气相沈积系统 的电浆增强型化学气相沈积法,其中进行产生该含 氧气体电浆之该步骤是为了形成厚度约等于或厚 于由该电浆增强型化学气相沈积制程所造成之厚 度减少的该氧化铝保护膜。16.如同申请专利范围 第13项之使用电浆增强型化学气相沈积系统的电 浆增强型化学气相沈积法,其中在对该基板载持器 供应一调整过的DC电压下进行产生该含氧气体电 浆之该步骤,根据该含氧气体电浆之量测电位调整 该DC电压。17.如同申请专利范围第16项之使用电浆 增强型化学气相沈积系统的电浆增强型化学气相 沈积法,其中调整该DC电压使得RF行进波电位之振 幅中心为零电位。18.如同申请专利范围第13项之 使用电浆增强型化学气相沈积系统的电浆增强型 化学气相沈积法,其中该基板载持器包括一基板载 台,该基板载台是用来支撑该电浆增强型化学气相 沈积制程所处理之基板。图式简单说明: 图1所示为电浆增强型化学气相沈积系统之方块图 ,此系统包括如本发明第一实施例之一沈积容室。 |
