SEMICONDUCTOR STRUCTURE INTEGRATED UNDER A PAD

摘要

Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterstruktur mit einem Substrat (1),mindestens einem auf dem Substrat (1) liegenden Halbleiterelement (2), einem Padmetall (3) mit einer Fläche (F), einer Vielzahl von Metallschichten (4.x), die zwischen dem Padmetall (3) und dem Substrat (1) liegen und einer Vielzahlvon Isolationsschichten (5.y), die die Metallschichten (4.x) voneinander trennen,wobei das Padmetall (3) sich zumindest über einen Teil des mindestens einenHalbleiterelementes (2) erstreckt.Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass, unterhalb der Fläche (F) desPadmetalls (3), zumindest die obersten beiden Metallschichten (4.x, 4.x-1)eine Struktur aufweisen, die jeweils mindestens zwei nebeneinanderliegendeLeiterbahnen (4.x.z, 4.x-1.z) enthalten.