| 摘要 |
Erfindungsgemäß ist eine integrierte Schaltungsanordnung vorgesehen, umfassend eine kaskodierte Stromquelle (10) und eine Einstellschaltung (20) zur Einstellung des Arbeitspunkts (Vg1, Vg2, Vx) der kaskodierten Stromquelle (10) durch Bereitstellung von Gatepotentialen (Vg1, Vg2) für Stromquellen-FETs (Q1, Q2), wobei die Einstellschaltung aufweist: DOLLAR A - eine Referenzstufe, die gebildet ist aus einem Paar von Referenz-FETs (M2, M1), welchen Referenzströme (Iref1, Iref2) zugeführt werden, derart, daß die Stromdichten in den Referenz-FETs (M2, M1) um einen vorbestimmten Faktor (N·2·) verschieden voneinander sind, zur Bereitstellung von Referenzgatepotentialen (Vgs1, Vgs2) an den Gates der Referenz-FETs (M2, M1), DOLLAR A - eine Verarbeitungsstufe zur Bereitstellung eines Einstellpotentials (Vgt1 + V1) auf Basis des vorbestimmten Faktors (N·2·), welches gleich der effektiven Steuerspannung (Vgt1) eines Referenz-FET (M2) zuzüglich einer vorbestimmten Zusatzspannung (V1) ist, und DOLLAR A - einen Ausgang-FET (M9), der sourceseitig mit dem Einstellpotential (Vgt1 + V1) verbunden ist. DOLLAR A Damit stellt die Erfindung eine Schaltung zur prozeß- und temperaturunabhängigen Arbeitspunkteinstellung einer kaskodierten FET-Stromquelle bereit, die bei vielen hochintegrierten Analogschaltungen Anwendung findet und den Dynamikbereich maximiert.
|
