| 发明名称 | 具有软基准层的磁阻器件 | ||
| 摘要 | 一种磁阻器件(10)包括具有不同矫顽磁性的第一和第二铁磁层(12和14)以及第一和第二层(12和14)之间的隔离层(16)。每个铁磁层(12和14)具有在两个方向中的任何一个取向的磁化。 | ||
| 申请公布号 | CN1466148A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN02132343.7 | 申请日期 | 2002.09.24 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | L·T·特兰;M·沙马 |
| 分类号 | G11C11/15;H01L43/08 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;梁永 |
| 主权项 | 1.一种磁存储器件(10)，包括：具有不同矫顽磁性的第一和第二铁磁层(12和14)，每个铁磁层具有可以在两个方向中的任何一个取向的磁化；以及第一和第二铁磁层之间的隔离层(16)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||