| 主权项 |
1.一种分离设备,用来分离具有一分离层的一板件,该板件系在该分离设备水平支撑该板件之下于该分离层处被分离,该分离设备包含:一喷射区段,其将一流体朝向在该板件的一外侧面上的一凹入部分喷射,以在该分离层处分离该板件;一第一支撑区段,其在不与该板件的上表面接触之下接触为该板件的下表面的一中心部分的一第一区域,以支撑该板件;一第二支撑区段,其在调节该板件的水平位置之下只与除了该板件的该下表面的该中心部分及该板件的该上表面以外的该板件的一第二区域接触,以支撑该板件;及一控制区段,其使该第一支撑区段于该板件的分离处理的第一阶段支撑该板件,且使该第二支撑区段于分离处理的第二阶段支撑该板件;其中该分离处理是在一空间被确保在该板件的该上表面上的状态中被执行。2.如申请专利范围第1项所述的分离设备,其中该第二区域为该板件的一边缘部分。3.如申请专利范围第1项所述的分离设备,其中该空间被确保在该板件的该上表面上的该状态为该板件的该上表面不与任何支撑构件接触的状态。4.如申请专利范围第1项所述的分离设备,另外包含藉着旋转该第一支撑区段而在一水平平面中旋转该板件的一旋转机构。5.如申请专利范围第4项所述的分离设备,其中该第二支撑区段将该板件支撑成为不动状态。6.如申请专利范围第1项所述的分离设备,其中该分离设备另外包含移动该第一支撑区段及该第二支撑区段的至少之一的一驱动机构;且在从该分离处理的第一阶段至第二阶段的转变处,该控制区段使该驱动机构操作,因而使该第二支撑区段支撑已经由该第一支撑区段支撑的该板件。7.如申请专利范围第1项所述的分离设备,另外包含一位置调整机构,其将该喷射区段的位置调整成使得从该喷射区段喷射的该流体被注射至该板件的该分离层内。8.如申请专利范围第1项所述的分离设备,其中该板件具有盘件形状。9.如申请专利范围第1项所述的分离设备,其中该分离层是藉着阳极化或离子植入而形成。10.一种分离方法,用来分离藉着将具有一分离层及在该分离层上的一转移层的一种源基板结合于一处理基板而形成的一结合基板堆叠,该分离系将该结合基板堆叠于该分离层处分离成为二基板,其中使如申请专利范围第1项所述的分离设备的该第一支撑区段在将该处理基板保持于上方侧之下支撑该结合基板堆叠,并且该结合基板堆叠是由该分离设备在该分离层的部分处分离成为二基板。11.一种分离方法,用来分离具有一分离层的一板件,该板件系藉着在水平支撑该板件之下将一流体注射至该分离层内而于该分离层处被分离,该分离方法包含:第一步骤,其中在一空间被确保在于外侧具有一凹入部分的该板件的上表面上的状态中,在与为该板件的下表面的中心部分的一第一区域接触而不与该板件的该上表面接触之下,支撑该板件;及第二步骤,其中在该空间被确保在该板件的该上表面上的状态中,在只与该板件的该下表面的该中心部分及该板件的该上表面以外的该板件的一第二区域接触之下支撑该板件,并且调节该板件的水平位置。12.如申请专利范围第11项所述的分离方法,其中该第二区域为该板件的一边缘部分。13.如申请专利范围第11项所述的分离方法,其中该空间被确保在该板件的该上表面上的该状态为该板件的该上表面不与任何支撑构件接触的状态。14.如申请专利范围第11项所述的分离方法,其中在该第一步骤中,该板件的一周边部分是藉着在于一水平平面中旋转该板件之下将该流体注射至该板件的该分离层内而于该分离层的部分处被分离。15.如申请专利范围第14项所述的分离方法,其中在该第二步骤中,该板件的一中心部分是在将该板件支撑成为不动状态之下于该分离层的部分处被分离。16.如申请专利范围第11项所述的分离方法,其中该板件具有盘件形状。17.如申请专利范围第11项所述的分离方法,其中该分离层是藉着阳极化或离子植入而形成。18.如申请专利范围第11项所述的分离方法,其中该板件为藉着将具有一分离层及在该分离层上的一转移层的一种源基板结合于一处理基板而产生的一结合基板堆叠;且在该第一及第二步骤中,该结合基板堆叠是在将该处理基板保持于上方侧之下被支撑。19.一种半导体基板制造方法,包含以下步骤:藉着将具有一分离层及在该分离层上的一转移层的一种源基板结合于一处理基板而产生一结合基板堆叠成为一板件;及在该结合基板堆叠在将该处理基板保持于上方侧之下被水平支撑的状态中,藉着应用如申请专利范围第11项所述的分离方法而将该结合基板堆叠于该分离层的部分处分离成为二基板。20.一种半导体装置制造方法,包含以下步骤:制备藉着应用如申请专利范围第19项所述的制造方法而制造的一SOI基板;及隔离该SOI基板的一SOI层且在被隔离的该SOI层上形成一电晶体。图式简单说明:图1A至1E为用来说明在根据本发明的一较佳实施例的基板制造方法中的形成多孔层的步骤的示意图。图2为显示结合基板堆叠被传递至分离设备的状态的侧视图。图3为显示分离设备中的分离处理的第一阶段的侧视图。图4为显示结合基板堆叠从第一基板支撑区段被传递至第二基板支撑区段的状态的侧视图。图5为显示分离设备中的分离处理的第二阶段的侧视图。图6为显示分离设备的平面图。图7A至7D为显示使用可由根据本发明的较佳实施例的基板制造方法制造的半导体基板来制造半导体装置的方法的截面图。图8为显示第二基板支撑区段的修正的侧视图。 |
