| 主权项 |
1.一种缩小半导体元件临界尺寸之方法,包含有下列步骤:于一半导体层上形成一光阻层,其已至少经过曝光显影处理,构成一暴露出部份该半导体层之第一图案;进行一全面曝光(blanket exposure)步骤,以该光阻层可吸收光波长之光线照射该光阻层以及暴露出之该半导体层,以提供该光阻层一预定能量,俾产生光质子酸;进行一第一热制程,使前一步骤中于该光阻层产生之光质子酸进行链反应或扩散,并且均一化该光阻层之玻璃转化温度(Tg),其中该第一热制程系在一低于该玻璃转化温度(Tg)之温度下进行;以及进行一第二热制程。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在进行该第一热制程之后,以及进行该第二热制程之前,该方法另包含有下列步骤:于该光阻层覆盖一高分子层,其中该高分子层系可以与该光阻层在该第二热制程中发生化学架桥连结反应者。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在进行该第二热制程之后,该方法另包含有下列步骤:去除未与该光阻层发生化学架桥连结反应之该高分子层,构成一第二图案;以及经由该第二图案作为遮罩,蚀刻该半导体层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中去除未与该光阻层发生化学架桥连结反应之该高分子层系利用一清洗溶液,其中该清洗溶液仅可溶解该高分子层,而无法溶解该光阻层以及与该光阻层发生化学架桥连结反应者。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层为一化学增幅型(chemicalamplification)光阻。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该光阻层含有光酸产生剂。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该预定能量约为10%~150%E0,其中,E0为将该光阻层完全清除之恕限能量(threshold energy)。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该预定能量约为2mJ/cm2。9.一种半导体元件的制造方法,包含有下列步骤:于一半导体层上形成一化学增幅型光阻层,其系至少已经过曝光显影处理,构成一暴露出部份该半导体层之第一图案;进行一全面曝光步骤,以该化学增幅型光阻层可吸收光波长之光线照射该化学增幅型光阻层以及暴露出之该半导体层,以提供该化学增幅型光阻层一预定能量,俾产生光质子酸;进行一第一热制程,使前一步骤中于该化学增幅型光阻层产生之光质子酸进行链反应或扩散,并且均一化该化学增幅型第一光阻层之玻璃转化温度(Tg);于该化学增幅型光阻层表面上覆盖一高分子层,其中该高分子层系可以与该化学增幅型光阻层发生化学架桥连结反应者,且该第一热制程系在一低于该玻璃转化温度(Tg)之温度下进行;以及进行一第二热制程,以使先前所产生的光质子酸得以扩散至该化学增幅型光阻层各角落至高分子层,俾使在该化学增幅型光阻层与高分子层之界面发生架桥连结反应,产生一架桥连结层。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该化学增幅型光阻层包含有一酸产生剂。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中在进行该第二热制程之后,该方法另包含有下列步骤:去除未与该化学增幅型光阻层发生化学架桥连结反应之该高分子层,构成一第二图案;以及经由该第二图案作为遮罩,蚀刻该半导体层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中去除未与该化学增幅型光阻层发生化学架桥连结反应之该高分子层系利用一清洗溶液,其中该清洗溶液仅可溶解该高分子层,而无法溶解该化学增幅型光阻层以及与该架桥连结层者。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该预定能量约为10%~150%E0,其中,E0为将该化学增幅型光阻层完全清除之恕限能量(threshold energy)。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该预定能量约为2mJ/cm2。图式简单说明:图一为习知RELACS法之流程图。图二为本发明缩小元件CD方法之流程图。 |
