| 主权项 |
1.一种自行对准钴矽化物的接触窗制程,包括:于一矽基底上形成一介电层;于该介电层中形成一接触窗开口,并暴露出该矽基底;于该接触窗开口侧壁形成一氮化矽间隙壁;于该接触窗开口底部形成一钴层;于该钴层上形成一离子化金属电浆钛层;于该离子化金属电浆钛层上形成一化学气相沉积氮化钛层;施行一第一快速热制程,以使该钴层与该矽基底反应形成一自行对准钴矽化物;进行一湿式蚀刻,以去除未反应的该钴层、该离子化金属电浆钛层与该化学气相沉积氮化钛层;施行一第二快速热制程;以及于该接触窗开口中填入一导体层。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该第一快速热制程的制程温度在摄氏500-600度之间。3.如申请专利范围第1项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该第一快速热制程的制程气体包括氮气。4.如申请专利范围第1项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该第二快速热制程的制程温度在摄氏600-700度之间。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该离子化金属电浆钛层的阶梯覆盖性为50%。6.如申请专利范围第1项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该导体层包括钨。7.如申请专利范围第6项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中于该接触窗开口中填入该导体层的制程温度在摄氏400-450度之间。8.一种自行对准钴矽化物的接触窗制程,包括:于一矽基底上形成一介电层;于该介电层中形成一接触窗开口,其中该接触窗开口具有大于10的深宽比;于该接触窗开口侧壁形成一氮化矽间隙壁;于该接触窗开口底部形成一钴层;于该钴层上形成一离子化金属电浆钛层;于该离子化金属电浆钛层上形成一化学气相沉积氮化钛层;施行一快速热制程,以使该钴层与该矽基底反应形成一自行对准钴矽化物;于该接触窗开口中填入一导体层;以及进行一化学机械研磨制程,以去除该接触窗开口以外的部分该导体层、该离子化金属电浆钛层、该化学气相沉积氮化钛层以及该钴层。9.如申请专利范围第8项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该快速热制程的制程气体包括氮气。10.如申请专利范围第8项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该离子化金属电浆钛层的阶梯覆盖性为50%。11.如申请专利范围第8项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该导体层包括钨。12.如申请专利范围第11项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中该化学机械研磨制程包括钨化学机械研磨制程。13.如申请专利范围第11项所述之自行对准钴矽化物的接触窗制程,其中于该接触窗开口中填入该导体层的制程温度在摄氏400-450度之间。图式简单说明:第1图是依照本发明之一第一实施例之自行对准钴矽化物的接触窗制程技术的制造步骤图;以及第2图是依照本发明之一第二实施例之自行对准钴矽化物的接触窗制程技术的制造步骤图。 |
