| 主权项 |
1.一种唯读记忆体(Read Only Memory,ROM)资料读取方法,该唯读记忆体系可储存复数个资料,该读取方法包含步骤有:产生一第一读取命令;下达一第一指定位址以回应该第一读取命令;根据该第一指定位址回应一第一资料;读取该第一资料;以及在完成该第一资料之交易后,立即下达一预测之第二指定位址。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含致能一晶片致能讯号(CE#)以及致能一输出致能讯号(OE#)之步骤于所有步骤之前。3.如申请专利范围第1项之方法,更包含产生一第二读取命令之步骤,回应于该第二读取命令,将该第二读取命令所欲读取之一真正欲读取资料之位址与该第二指定位址进行比较。4.如申请专利范围第1项之方法,更包含根据该第二指定位址回应一第二资料之步骤。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二指定位址系为该第一指定位址之一相邻线性位址。6.如申请专利范围第3项之方法,更包含若该第二读取命令所欲读取之真正欲读取资料之位址不同于该预测之第二指定位址时,则重新下达该真正欲读取资料之位址之步骤。7.如申请专利范围第3项之方法,更包含若该第二读取命令所欲读取之真正欲读取资料之位址相同于该预测之第二指定位址时,根据该被下达之预测之第二指定位址回应一第二资料之步骤。8.如申请专利范围第7项之方法,更包含读取该第二资料之步骤。9.如申请专利范围第4项之方法,更包含产生一第二读取命令之步骤,回应于该第二读取命令,将该第二读取命令所欲读取之一真正欲读取资料之位址与该第二指定位址进行比较。10.如申请专利范围第9项之方法,更包含若该第二读取命令所欲读取之真正欲读取资料之位址不同于该预测之第二指定位址时,则重新下达该真正欲读取资料之位址之步骤。11.如申请专利范围第9项之方法,更包含若该第二读取命令所欲读取之真正欲读取资料之位址相同于该预测之第二指定位址时,则读取该第二资料之步骤。12.如申请专利范围第6或10项之方法,更包含根据该真正欲读取资料之位址回应一第三资料之步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,更包含读取该第三资料之步骤。14.一种用以读取一唯读记忆体(Read OnlyMemory,ROM)资料之控制器,该唯读记忆体系可储存复数个资料,该控制器包含有:一多工器,用以自一欲读取资料之新位址以及一预测之位址择一做为一目前位址;一闩锁器,耦接至该多工器,用以暂存该目前位址以及接收一时脉讯号;一递增器,耦接至该多工器,用以递增该目前位址成为该预测之位址;以及一比较器,用以将该预测之位址与该欲读取资料之新位址进行比较,其中,该控制器将该目前位址根据该时脉讯号而输出给该唯读记忆体进行定址。15.如申请专利范围第14项之控制器,其中该闩锁器系为一D型正反器。16.如申请专利范围第14项之控制器,其中该预测之位址系为该目前位址之一下一笔连续资料之位址。17.如申请专利范围第14项之控制器,其中该控制器更包含一晶片致能讯号(CE#)脚位以及一输出致能讯号(OE#)脚位。18.如申请专利范围第14项之控制器,其中该控制器开始运作之后便一直致能该晶片致能讯号脚位以及该输出致能讯号脚位。19.如申请专利范围第14项之控制器,其中该多工器系根据该比较器之该比较结果,将该欲读取资料之新位址做选择性地输出。20.如申请专利范围第14项之控制器,其中该多工器进一步参考一命令讯号(cmd)以及一Data_Rdy讯号,以将该欲读取资料之新位址做选择性地输出。21.如申请专利范围第14项之控制器,其中该唯读记忆体系为一快闪记忆体。图式简单说明:第一A图以及第一B图为习知唯读记忆体读取方法之时序示意图。第二图为唯读记忆体位址阵列之示意图。第三A图至第三C图为本发明唯读记忆体读取方法之时序示意图。第四图为本发明唯读记忆体读取方法之流程图。第五图显示本发明唯读记忆体之控制器之一具体实施例。 |
