具有多量子阱结构的发光二极管

摘要

本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂的AlGaN层与N个量子阱之间的不掺杂的GaN隔离层及在n型掺杂的AlGaN层与N个量子阱之间的不掺杂的GaN隔离层，通过合理调整GaN隔离层的厚度，可以有效地调整p－n结的位置，使之位于多量子阱区域，有效增强发光二极管的发光强度。

主权项

1、一种具有多量子阱结构的发光二极管，包括多量子阱结构；在所述多量子阱结构之上的p型掺杂的GaN层、透明电极及p型欧姆接触；在所述多量子阱结构之下的n型掺杂的GaN层、GaN缓冲层、n型欧姆接触及衬底；其特征在于：该多量子阱结构包含N个量子阱，该N个量子阱之上形成有不掺杂的第一GaN隔离层，在该N个量子阱之下形成有不掺杂的第二GaN隔离层，该两个GaN隔离层的厚度为大于0nm且小于500nm之间的任意值。