| 发明名称 | 制作用于电子束绘图的电子束掩模的方法和制作该掩模的装置 | ||
| 摘要 | 本发明是一种生成用于电子束图像刻绘的EB掩模的方法，包括：从存储在存储装置中的设计数据中抽取用于成形在EB掩模上的图形的步骤；利用包含在所抽取的单元内的设计数据计算在EB掩模中所需要的一个孔隙片段的一个孔隙面积的步骤；利用该孔隙面积的值产生用于孔隙生成的单元数据的步骤；和利用该用于孔隙生成的单元数据在EB掩模中生成一个基本孔隙图形的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1133201C | 申请公布日期 | 2003.12.31 |
| 申请号 | CN98100057.6 | 申请日期 | 1998.01.20 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 田村贵央;山下浩;中岛谦;野末宽 |
| 分类号 | H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种生成用于电子束图像刻绘的EB掩模的方法，其特征在于包括如下步骤：从存储在存储装置中的设计数据中抽取一个包含一个用于在EB掩模上成形的图形的单元；利用包含在所抽取的单元内的设计数据计算在EB掩模中所需要的一个孔隙片段的一个孔隙面积；利用该孔隙面积的值产生用于孔隙生成的单元数据；和利用该用于孔隙生成的单元数据在EB掩模中生成一个基本孔隙图形。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||