VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DIODES,申请号IL20010155782-传众专利搜索

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发明名称	VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DIODES
摘要
申请公布号	IL155782(D0)	申请公布日期	2003.12.23
申请号	IL20010155782	申请日期	2001.10.18
申请人	VRAM TECHNOLOGIES, LLC	发明人
分类号	H01L29/861;H01L21/308;H01L21/329;H01L21/337;H01L21/8234;H01L27/02;H01L29/808;(IPC1-7):H01L	主分类号	H01L29/861
代理机构		代理人
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