发明名称 METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR JUNCTIONS,BY ETCHING,MASKING,AND DIFFUSION
摘要
申请公布号 US3498853(A) 申请公布日期 1970.03.03
申请号 USD3498853 申请日期 1966.01.07
申请人 SIEMENS AG. 发明人 JOACHIM DATHE;WOLFGANG MULLER;SHIB GHOSH-DASTIDAR
分类号 C30B31/02;C30B31/06;H01L21/00;H01L21/22;(IPC1-7):H01L7/44 主分类号 C30B31/02
代理机构 代理人
主权项
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