发光二极体提高亮度结构

摘要

本创作系有关一种发光二极体提高亮度结构，其包含有：发光装置、中介层及组装底座所构成；其中该发光装置主要系由第三族氮化物半导体所制成，并以倒置方式藉由一中介层和组装底座完成电性连接，且进一步使发光装置之透明顶层表面粗糙化；俾以提供一大面积、高能量的 LED，其藉由从p-n接面至灯体封装的降低热阻力，并增加光线回收率来达到最大的发光量。五、(一)、本案代表图为：第四图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：(10)发光装置(11)n-型无渗杂层(12)p-型层(13)活性层(14)透明顶层(15)P-电极金属镀层(16)n-电极(20)中介层(21)、(22)导电介面(23)、(35)电介质钝化(30)组装组座(31)基板(32)电极(33)电极层(34)可焊金属层

主权项

1.一种发光二极体提高亮度结构,包含有:一发光装置,具备第三族氮化物外延性异质结构n-型无掺杂层以及p-型层,该n-型层及p-型层皆与一活性层相接触,且n-型层连设一透明顶层,又n-电极以手指状包覆p-电极金属镀层,一导电介面系设于p-电极和n-电极之间,以及以一电介质钝化层做为p-电极和n-电极之间的电绝缘层;前述装置系以倒置方式,藉由一中介层而与一组装底座上之诸组装电极相连接,以及在透明顶层表面形成粗糙面者。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体提高亮度结构,其中,该中介层系以基础金属、金属合金、半导体合金、具有导热性和导电性之黏料、LED晶料和组装底座间之不同金属共熔接点、金凸块、焊料凸块任一材质所构成者。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体提高亮度结构,其中,该中介层系分别藉由上、下导电介面连接至发光装置及组装底座。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体提高亮度结构,其中,该组装底座进一步更包括一基板、于基板上方之电极层,以及设于基板背面之可焊金属层。图式简单说明:第一图系习用一种双异质结构发光二极体示意图。第二图系本创作之主要构成示意图。第三图系第二图中3-3断面剖示图。第四图系本创作透明顶层粗糙化之示意图。第五图系本创作中介层另一可行实施例图。第六图系本创作中介层又一可行实施例图。