发明名称 快闪记忆体之对角线测试方法
摘要 本发明揭示一种快闪记忆体之对角线测试方法。该测试方法系将该快闪记忆体虚拟为数个正方形,并以由上至下和左至右的方向执行。每一个正方形具有一由左上至右下之-45度之第一对角线及一由左下至右上之+45度之第二对角线。本发明即利用程式化该第一对角线或第二对角线之元件,且之后读取除该第一对角线或第二对角线以外之元件;或程式化除该第一对角线或第二对角线以外之元件,且之后读取该第一对角线或第二对角线之元件的方式而快速有效检测该快闪记忆体之干扰错误与一般记忆体之错误。
申请公布号 TW567500 申请公布日期 2003.12.21
申请号 TW091115380 申请日期 2002.07.09
申请人 蔚华科技股份有限公司;国立清华大学 新竹市光复路二段一○一号 发明人 邱绍国;叶人杰;郑国良;黄稚存;吴诚文
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种快闪记忆体之对角线测试方法,包含:(a)抹除该快闪记忆体元件阵列;(b)程式化该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件;(c)读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;(d)程式化该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;及(e)读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。2.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含以下步骤:(f)程式化该快闪记忆体元件阵列之第二对角线之元件;及(g)读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件。3.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中该第一对角线系指该快闪记忆体元件阵列之左上至右下之-45度方向对角线,且该第二对角线系指该快闪记忆体元件阵列之左下至右上之+45方向对角线。4.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中在步骤(a)之后另包含读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件之步骤。5.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中在步骤(b)之后另包含读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件之步骤。6.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中在步骤(d)之后另包含读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件之步骤。7.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含以下步骤:(h)抹除该快闪记忆体元件阵列;(i)依相反于第一对角线之方向而程式化位于该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;及(j)读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。8.如申请专利范围第7项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中在步骤(h)之后另包含依相反于第一对角线之方向而读取位于该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件之步骤。9.如申请专利范围第7项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中在步骤(i)之后另包含依相反于第一对角线之方向而读取位于该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件之步骤。10.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含下列步骤:(h)抹除该快闪记忆体元件阵列;(i)依相反于第一对角线之方向而程式化位于该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;(j)依高位址至低位址之方向而程式化位于该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件;及(k)依高位址至低位址之方向而读取位于该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。11.如申请专利范围第10项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件之步骤。12.如申请专利范围第1项之快闪记忆体之对角线测试方法,其系将该快闪记忆体元件阵列虚拟为数个正方形,并以由上至下和左至右的方向执行。13.一种快闪记忆体之对角线测试方法,包含:抹除该快闪记忆体元件阵列;依相反于第一对角线之方向而程式化位于该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;依高位址至低位址之方向而程式化位于该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件;及依高位址至低位址之方向而读取位于该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。14.如申请专利范围第13项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件之步骤。15.如申请专利范围第13项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含下列步骤:抹除该快闪记忆体元件阵列;程式化该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件;读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;程式化该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;及读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。16.如申请专利范围第13项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含下列步骤:程式化该快闪记忆体元件阵列之第二对角线之元件;及读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件。17.如申请专利范围第13项之快闪记忆体之对角线测试方法,其中该第一对角线系指该快闪记忆体元件阵列之左上至右下之-45度方向对角线,且该第二对角线系指该快闪记忆体元件阵列之左下至右上之+45方向对角线。18.一种快闪记忆体之对角线测试方法,包含:抹除该快闪记忆体元件阵列;依相反于第一对角线之方向而程式化位于该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;及读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。19.如申请专利范围第18项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含下列步骤:抹除该快闪记忆体元件阵列;程式化该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件;读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;程式化该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件;及读取该快闪记忆体元件阵列之除第一对角线以外之元件。20.如申请专利范围第18项之快闪记忆体之对角线测试方法,其另包含下列步骤:程式化该快闪记忆体元件阵列之第二对角线之元件;及读取该快闪记忆体元件阵列之第一对角线之元件。图式简单说明:图1(a)至1(c)系本发明之快闪记忆体之对角线划分示意图;图2系本发明之第一实施例之测试流程图;图3(a)至3(g)系第一实施例之步骤分解图;图4(a)至4(i)系本发明之第一实施例之另一分解表示图;图5(a)至5(i)系本发明之第二实施例之测试步骤分解图;图6(a)至6(i)系本发明之第三实施例之测试步骤分解图;图7(a)至7(i)系本发明之第四实施例之测试步骤分解图;图8(a)至8(i)系本发明之第五实施例之测试步骤分解图;图9(a)至9(h)系本发明之第六实施例之测试步骤分解图;图10(a)至10(h)系本发明之第七实施例之测试步骤分解图;及图11(a)至11(i)系本发明之第八实施例之测试步骤分解图。
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