发明名称 光资讯媒体及其再生方法
摘要 本发明系关于记录密度高之光资讯记录媒体及其再生方法。本发明之课题为提供:可以超过绕射界限之高解析度之再生,而且,再生功率之线速度依存性低之光资讯媒体,以及再生被记录于此光资讯媒体之资讯之方法。其解决手段为:一种具备:具有凹凸或可以形成记录标记,或具有前述凹凸之同时,可以形成记录标记之资讯记录面之光资讯媒体,具备机能层,利用比4NA.PL(PL系前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸,NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光,将再生光之功率设定在机能层之复折射率不变化之范围内,对藉由机能层所构成之资讯记录面照射再生光,或通过机能层对资讯记录面照射再生光,或通过资讯记录面对机能层照射再生光时,资讯记录面具有之资讯之再生成为可能之光资讯媒体。
申请公布号 TW567485 申请公布日期 2003.12.21
申请号 TW089113107 申请日期 2000.07.01
申请人 TDK股份有限公司 发明人 菊川隆;宇都宫肇;新开浩;加藤达也
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种光资讯媒体,其系一种具备:具有凹凸、或可以形成记录标记、或具有前述凹凸之同时,可以形成记录标记之资讯记录面之光资讯媒体,其特征为:具备具有提升空间分解能之机能之包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、 V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层。2.一种光资讯媒体,其系一种具备:具有凹凸、或可以形成记录标记、或具有前述凹凸之同时,可以形成记录标记之资讯记录面之光资讯媒体,其特征为:具备包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层,利用比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光,将前述再生光之功率设定在前述机能层之复折射率不变化之范围内,对藉由前述机能层所构成之前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述机能层对前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述资讯记录面对前述机能层照射前述再生光时,前述资讯记录面具有之资讯之再生成为可能。3.一种光资讯媒体,其系一种具备:具有凹凸、或可以形成记录标记、或具有前述凹凸之同时,可以形成记录标记之资讯记录面之光资讯媒体,其特征为:具备包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层,利用比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光,将前述再生光之功率设定在对应前述再生光之功率变化,由前述机能层来之反射光量线形地变化之范围内,对藉由前述机能层所构成之前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述机能层对前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述资讯记录面对前述机能层照射前述再生光时,前述资讯记录面具有之资讯之再生成为可能。4.如申请专利范围第1~3项记载之光资讯媒体,其中再生光之最适当功率被预先记录着。5.一种光资讯媒体,其系具有设置保持资讯之凹点之基体,在此基体之凹点形成面上具有包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层,藉由此机能层之存在,实现下述现象(A)以及(B)之光资讯媒体,其特征为:(A)照射比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光时,前述凹点保持之资讯之再生成为可能之现象;(B)依存凹点深度,再生输出变化,在设再生光之波长为时,比起在长度为/4NA以上之凹点中,再生输出成为最大之凹点深度,于长度比/4NA短之凹点中,再生输出成为最大之凹点深度变得比较小之现象。6.一种光资讯媒体,其特征为:具有设置保持资讯之凹点之基体,在此基体之凹点形成面上具有包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、 Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层,在照射比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光时,前述凹点保持之资讯之再生成为可能,设再生光之波长为,前述基体之折射率为n时,凹点深度d于媒体全体中,具有下列关系式:/10n≦d</6n。7.一种光资讯媒体,其特征为:具有设置保持资讯之凹点之基体,在此基体之凹点形成面上具有包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层,在照射比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光时,前述凹点保持之资讯之再生成为可能,设再生光之波长为,具有未满/4NA之长度,而且,深度为ds之凹点,以及具有/4NA以上之长度,而且,深度为dL之凹点存在,其中ds<dL。8.如申请专利范围第7项记载之光资讯媒体,其中设前述基体之折射率为n时,/10n≦ds</6n。9.如申请专利范围第7或第8项记载之光资讯媒体,其中设前述基体之折射率为n时,/8n≦dL</4n。10.一种光资讯媒体之再生方法,其特征为:对于具备:具有凹凸、或可以形成记录标记、或具有前述凹凸之同时,可以形成记录标记之资讯记录面以及包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层之光资讯媒体,利用比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光,将前述再生光之功率设定在前述机能层之复折射率不变化之范围内,对藉由前述机能层所构成之前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述机能层对前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述资讯记录面对前述机能层照射前述再生光,以进行前述资讯记录面具有之资讯之再生。11.一种光资讯媒体之再生方法,其特征为:对于具备:具有凹凸、或可以形成记录标记、或具有前述凹凸之同时,可以形成记录标记之资讯记录面以及包含选自Nb、Mo、W、Mn、Pt、C、Si、Ge、Ti、Zr、V、Cr、Fe、Co、Ni、Pd、Sb、Ta、Al、In、Cu、Sn、Te、Zn及Bi之至少一种元素单体、或合金或该化合物所成机能层之光资讯媒体,利用比4NA.PL(PL为前述凹凸或前述记录标记之最小尺寸、NA系再生光学系之开口数)长之波长之再生光,将前述再生光之功率设定在对应前述再生光之功率变化,由前述机能层来之反射光量线形地变化之范围内,对藉由前述机能层所构成之前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述机能层对前述资讯记录面照射前述再生光,或通过前述资讯记录面对前述机能层照射前述再生光,以进行前述资讯记录面具有之资讯之再生。12.如申请专利范围第10项或第11项记载之光资讯媒体之再生方法,其中藉由使机能层之温度上升至因应机能层构成材料之指定値以上以进行再生。13.如申请专利范围第12项记载之光资讯媒体之再生方法,其中至少利用雷射光束照射以升温机能层。14.如申请专利范围第12项记载之光资讯媒体之再生方法,其中至少利用环境温度之升温以使机能层升温。15.如申请专利范围第10项或第11项记载之光资讯媒体之再生方法,其中对于再生光之最适当功率预先被记录之光资讯媒体,于再生前读出前述最适当功率,以此最适当功率进行再生。图式简单说明:图1系显示本发明之光资讯媒体之构成例之部份剖面图。图2系显示本发明之光资讯媒体之构成例之部份剖面图。图3(A)以及(B)系显示本发明之光资讯记录媒体之构成例之部份剖面图。图4(A)、(B)以及(C)系显示本发明之光资讯记录媒体之构成例之部份剖面图。图5系显示凹点长与C/N之关系曲线图。图6系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图7系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图8系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图9系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图10系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图11系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图12系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图13系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图14系显示W层之温度与反射率之关系曲线图。图15系显示线速度与C/N之关系曲线图。图16系显示Mo-W合金之W之含有量与C/N之关系曲线图。图17系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图18系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图19系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图20系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图21系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图22系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图23系显示层10之厚度与C/N之关系曲线图。图24再生次数与C/N之关系曲线图。图25系显示在不设置保护层之情形与设置之情形,再生功率与C/N之关系曲线图。图26系显示在不设置保护层之情形与设置之情形,再生次数与C/N之关系曲线图。图27系显示再生功率与C/N之关系曲线图,(A)系不设置金属层之情形,(B)系设置金属层之情形。图28系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图29系显示线速度与C/N之关系曲线图,(A)系不设置金属层之情形,(B)系设置金属层之情形。图30系显示层10之到达温度与C/N之关系曲线图。图31系显示层10之到达温度与C/N之关系曲线图。图32系显示层10之到达温度与C/N之关系曲线图。图33系显示本发明之光资讯媒体被放置之环境之温度变迁之C/N变化曲线图。图34系显示凹点深度与C/N之关系曲线图。图35系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图36系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图37系显示再生功率与反射光量之关系曲线图。图38系显示再生功率与C/N之关系曲线图。图39系显示再生功率与C/N之关系曲线图。
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