| 主权项 |
1.一种可应用自动对准金属矽化物之罩幕式唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其系分为周边区域及记忆胞阵列区域;在该基底上依序形成一闸氧化层与一多晶矽层;定义该多晶矽层,以形成复数多晶矽闸极;在该等多晶矽闸极之侧壁上形成复数个侧壁间隙物;利用该多晶矽闸极及该侧壁间隙物为罩幕,对该基底进行离子掺杂,以形成一埋入位元线;在该基底上覆盖一氧化层;对该氧化层进行回蚀刻,以在该周边区域之侧壁间隙物外侧形成氧化物间隙壁,并在该记忆胞阵列区域之相邻侧壁间隙物之间形成氧化物间隙壁而覆盖住露出之该基底;在该记忆胞阵列区域上形成一图案化光阻,以覆盖住该区域上之各元件;去除该周边区域之氧化物间隙壁,而后移除该光阻;以及利用自动对准金属矽化物技术,在该周边区域及该记忆胞阵列区域之该等多晶矽闸极上方形成自动对准金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该侧壁间隙物之材质系为氮化矽或氧化矽者。3.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中去除该周边区域之氧化物间隙壁系使用湿蚀刻法完成者。4.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该侧壁间隙物之步骤,更包括:在该基底上形成一氮化矽或氧化矽层;以及利用非等向性蚀刻制程,进行回蚀刻,以形成该些侧壁间隙物。5.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中定义该多晶矽层系以一图案化光阻为罩幕,蚀刻该多晶矽层而形成多晶矽闸极者。6.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中进行离子掺杂之步骤,系将该掺杂离子植入露出的基底中而形成该埋入式位元线,且该掺杂之离子为N+掺质。7.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该自动对准金属矽化物之步骤,更包括:在该基底表面形成一金属层;进行高温加热处理,使该金属层与多晶矽闸极及该周边区域露出之该基底产生矽化反应,而自动对准形成金属矽化物;以及去除未反应成矽化金属之该金属层部份。8.如申请专利范围第7项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该金属层之材质系选自钛、钴、镍、钯及铂所组成之群阻,且常用者为钛金属。9.如申请专利范围第7项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中进行该高温加热处理系以快速加热制程完成者。10.如申请专利范围第7项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中去除未反应金属层的步骤系利用湿蚀刻的方式选择性地去除之。图式简单说明:第一图至第八图为本发明于制作罩幕式唯读记忆体之各步骤构造剖视图。 |
