DIFFUSION BARRIER LAYER IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES TO REDUCE COPPER CONTAMINATION FROM THE BACK SIDE,申请号AU20020360825-传众专利搜索

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发明名称	DIFFUSION BARRIER LAYER IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES TO REDUCE COPPER CONTAMINATION FROM THE BACK SIDE
摘要
申请公布号	AU2002360825(A1)	申请公布日期	2003.12.19
申请号	AU20020360825	申请日期	2002.12.20
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES, INC.	发明人	CHRISTIAN ZISTL;JOHANNES GROSCHOPF;MASSUD AMINPUR
分类号	H01L21/336;H01L21/762;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84	主分类号	H01L21/336
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