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Ein photosensitiver Lack (100) zur Beschichtung auf einem Halbleitersubstrat oder eine Maske umfaßt einen photosensitiven Säurebildner (D), eine Lösungsmittelsubstanz (E) und wenigstens zwei verschiedene Basispolymere, von denen ein erstes Basispolymer cyclo-aliphatische Grundstrukturen (A) umfaßt, welche eine Lichteinstrahlung bei 248 nm im wesentlichen absorbieren und gegenüber einer Lichteinstrahlung bei 193 nm im wesentlichen transparent sind, und ein zweites Basispolymer aromatische Grundstrukturen (B) umfaßt, welche eine Lichteinstrahlung bei 193 nm im wesentlichen absorbieren und gegenüber einer Lichteinstrahlung bei 248 nm im wesentlichen transparent sind. Wird ein solcher Lack (100) mit einer Schichtdicke von 50 bis 400 nm auf ein Substrat aufgetragen und beträgt der Mengenanteil des zweiten Basispolymers mit den aromatischen Grundstrukturen zwischen 1 und 25 Mol-%, so wird vorteilhaft in einer Belichtung bei einer Wellenlänge von 193 nm ein höherer Strukturkontrast, eine bessere Ätzstabilität und eine Verringerung von Defekten erreicht. Eine Belichtung über den gesamten Tiefenbereich des Lackes (100) ist dabei gewährleistet.
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