发明名称 METHOD FOR PRODUCING A HETERO-BIPOLAR TRANSISTOR AND HETERO-BIPOLAR-TRANSISTOR
摘要 <p>Für einen Heterobipolartransistor, insbesondere auf GaAs-Basis werden ein vorteilhafter Aufbau und ein Herstellungsverfahren zur Erzielung günstiger und langzeitstabiler Bauelemente angegeben.</p>
申请公布号 WO2003105211(P1) 申请公布日期 2003.12.18
申请号 EP2003005658 申请日期 2003.05.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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