| 摘要 |
<p>Es wird eine elektrisch leitfähige Bitleitungsschicht aufgebracht und in parallel zueinander angeordnete Anteile strukturiert, bevor der Graben in das Halbleitermaterial geätzt wird, wobei nach dem Strukturieren der Bitleitungsschicht (3, 4) und vor der Ätzung des Grabens eine Implantation zur Festlegung der Position der Junctions eingebracht wird oder nach der Implantation der n+-Wanne (19) für die Source-/Drain-Bereiche die Bitleitungsschicht (3, 4) unter Verwendung einer auf dem Halbleiterkörper (1) angeordneten Ätzstoppschicht (2) strukturiert wird.</p> |
