发明名称 Verfahren zur Herstellung eines volltransponierten Hoch-Tc-Verbundsupraleiters sowie nach dem Verfahren hergestellter Leiter
摘要 Mit dem Verfahren ist ein volltransponierter Verbundsupraleiter nach Art eines Röbelstabes aus zusammengefassten Teilleitern (2¶i¶) herzustellen. Dabei soll der Verfahrensschritt der Formgebung der Teilleiter, bei denen ein seitlicher Überstieg (H) in einen Bereich eines benachbarten Teilleiters ausgebildet wird, von dem Verfahrensschritt eines Verseilens getrennt sein. Als Teilleiter (2¶i¶) werden Trägerbänder vorgesehen, die mit dem Supraleitermaterial beschichtet sind.
申请公布号 DE10223542(A1) 申请公布日期 2003.12.18
申请号 DE2002123542 申请日期 2002.05.27
申请人 SIEMENS AG 发明人 LEGHISSA, MARTINO
分类号 H01B12/08;H01B13/00;H01F41/04;H01L39/14;H01L39/24;H02K3/14;H02K15/04;(IPC1-7):H01B12/02;H01B12/06 主分类号 H01B12/08
代理机构 代理人
主权项
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