发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Fotomasken für die Strukturierung von Halbleitersubstraten durch optische Lithografie |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Fotomasken für die Strukturierung von Halbleitern. Dabei wird ein Resist verwendet, welcher ein Polymer mit siliziumhaltigen Gruppen enthält. Bei der Strukturierung in einem sauerstoffhaltigen Plasma werden die Siliziumatome in Siliziumdioxid umgewandelt, das unter dem Siliziumdioxid angeordnete Bereiche des Absorbers vor einem Abtrag durch das Plasma schützt. |
申请公布号 |
DE10223997(A1) |
申请公布日期 |
2003.12.18 |
申请号 |
DE2002123997 |
申请日期 |
2002.05.29 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KIRCH, OLIVER;SEBALD, MICHAEL |
分类号 |
G03F1/00;G03F1/68;G03F1/70;G03F7/004;G03F7/075;G03F7/11;G03F7/40;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F1/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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