| 发明名称 | 结晶性膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种稳定地制造高质量的熔融结晶化膜的高能体供给装置，示出了结晶性膜的形成方法。本发明的熔融结晶化不污染高能体供给装置，并可控制结晶化膜表面的重组情况。同时通过反射能量体的再次利用来提高高能体的利用效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1131546C | 申请公布日期 | 2003.12.17 |
| 申请号 | CN97190050.7 | 申请日期 | 1997.01.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 阿部裕幸;宫坂光敏 |
| 分类号 | H01L21/20;C22F1/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成薄膜的第一工序和对该薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于：在该第二工序中，在含有惰性气体和氢分子且氢的分压在10mTorr以上、5Torr以下的含氢环境气氛下使该薄膜的至少表面层熔融来进行结晶化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||