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发明名称 Method for fabricating an insulated gate semiconductor device
摘要
申请公布号 EP0673069(B1) 申请公布日期 2003.12.17
申请号 EP19950301892 申请日期 1995.03.20
申请人 SEIKO INSTRUMENTS INC. 发明人 YOSHIDA, YOSHIFUMI;YOSHIDA, SHINICHI;SAITOH, YUTAKA;OSANAI, JUN
分类号 H01L27/04;H01L21/265;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/092;H01L21/320;H01L21/823;H01L27/06 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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