半导体装置

摘要

在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中，第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着，从衬底的上面一侧，将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此，即使不加热衬底整体，通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属一半导体界面合金化，由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触，其结果，得到由第一金属膜构成的欧姆电极。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包括：由碳化硅构成的一块衬底；和在所述的一块衬底上选择地形成的、由AlxInyGa(1-x-y)N(x、y为0≤x≤1，0≤y≤1)构成的外延膜；和在所述的一块衬底上形成的具有场效应晶体管结构的高输出放大部分；和在所述外延膜形成的低噪声放大器部分。